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公开(公告)号：CN100443626C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610024078.2
申请日：2006-02-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1-xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，调整溅射靶位和溅射参数，制备铜铬合金膜，所述的Cu1-xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料，提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单，能够随时调节合金含量，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN1974870A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610118667.7
申请日：2006-11-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种材料技术的超声波降低电镀铜薄膜内应力的方法。本发明首先配制电镀溶液，将盛有电镀溶液的电镀槽放置于超声浴槽内，控制电镀溶液的温度和电流密度，通过改变电镀时间得到相应厚度的电镀铜薄膜，其中：控制电镀溶液的温度在30－35摄氏度之间，电流密度在4－16A/dm2之间。本发明在不改变原有电镀铜工艺的基础上，将电镀槽放置于超声浴槽内，利用超声作用降低电镀铜薄膜的内应力，利用X射线衍射的方法对不同工艺电镀铜薄膜的内应力进行测量。结果显示，利用超声技术可以有效的降低电镀铜薄膜的内应力。
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公开(公告)号：CN1807675A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610024078.2
申请日：2006-02-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1－xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，调整溅射靶位和溅射参数，制备铜铬合金膜，所述的Cu1－xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料，提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单，能够随时调节合金含量，提高生产效率。
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