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公开(公告)号：CN115449759A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211239950.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法，包括坩埚本体，坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构；坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空；第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封闭端，第一开口端设置在坩埚本体的上沿；第二缝隙从第二开口端沿横向延伸并形成第二封闭端，第二开口端与第一缝隙连通；坩埚本体内壁在靠近坩埚本体上沿处沿周向设置有向内凸起的台阶结构；坩埚本体的材质为三氧化二铝。本发明解决了电子束蒸发镀膜设备沉积铝薄膜时，铝几乎可以和所有的金属都可以形成合金，影响蒸镀铝膜的纯度，且水冷坩埚内直接蒸镀铝膜会引入坩埚自身的金属原子的技术问题。
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公开(公告)号：CN112259613A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011156256.3
申请日：2020-10-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/94 , H01L21/329 , H01L29/16 , H01L29/40
Abstract: 本发明提供了一种提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备。在制备锗MOS器件结构时，利用等离子增强型原子层沉积设备，通过对锗衬底进行NH3/N2混合等离子体原位预处理，然后在锗衬底上原子层沉积高介电绝缘介质层如二氧化铪，可以提高高介电绝缘介质层和锗衬底之间的层间界面的质量、抑制锗向高介电绝缘介质层的扩散，并对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。本发明能够更有效地降低锗MOS器件的漏电流，增加累积电容，改善锗MOS器件的性能，同时，原位NH3/N2混合等离子体处理可以在原子层沉积HfO2薄膜前直接利用原子层沉积设备的等离子体同步原位处理锗衬底，提高了生产效率，使其在工业领域更具有潜在优势。
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公开(公告)号：CN109881158B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201910160706.7
申请日：2019-03-04
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 付学成
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明提供了一种减少电子束蒸发过程物料飞溅的坩埚及其制造方法，包括：坩埚本体，所述坩埚本体内的坩埚壁上开设有多条相互平行的沟槽，所述沟槽的截面以及所述沟槽与所述坩埚壁连接处的截面为光滑的弧形。本发明利用毛细现象吸附漂浮在熔融金属液面上的杂质颗粒。当杂质颗粒被吸附在沟槽内时，沟槽内的电场相对较小，不利于杂质颗粒产生尖端放电，能有效地减少电子束蒸发过程中减少物料的飞溅。
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公开(公告)号：CN116495696A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310672571.9
申请日：2023-06-07
Applicant: 上海交大平湖智能光电研究院 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种聚焦离子束悬浮微结构加工方法、其系统及悬浮微结构，包括如下步骤：步骤S1：在衬底的表面上设置有牺牲层；在牺牲层上沉积薄膜材料；步骤S2：将沉积薄膜材料后的衬底放入聚焦离子束设备腔室中，选取所设计图形的中间部分，采用聚焦离子束在薄膜材料表面进行图形结构加工，且刻蚀深度不小于薄膜厚度；步骤S3：在聚焦离子束设备腔室中通过气体系统通入预设气体，在图形结构表面进行牺牲层刻蚀，控制通气时间结合离子束刻蚀，获得悬浮结构；步骤S4：在悬浮结构表面加工剩余图形至所需位置，获得悬空边缘结构和悬浮微结构。本发明采用聚焦离子束两次刻蚀的方法进行悬浮微结构加工，解决了现有技术中悬浮边缘难以控制及边缘结构不易加工的技术难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115440407A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210928478.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀导电材料及其制备方法。耐腐蚀导电材料是以SiO2和铂或金为主要成分的一种新型材料。该材料利用氨水、醋酸作为催化剂，正硅酸已酯(TEOS)为SiO2源，甘油作为防裂剂，铂或金粉作为导体材料。利用氨水的催化使得硅‑羟基化合物的溶解度增大，再利用醋酸的二步催化使硅－羟基化合物聚合成胶粒。往配制好的胶体里加入甘油作为防裂剂，添加适量的微米级粒度的铂或金粉，搅拌混合均匀。将制备好的胶体旋涂在硅片等不同的衬底上，利用快速退火炉进行热处理，可制备出一种新型耐腐蚀导电材料。本发明方法简单，具有非常好的可塑形性，具有耐氧化，耐强酸、盐水的腐蚀性能，在海水中长时间工作，电阻不变，电阻率可调节的范围非常大。
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公开(公告)号：CN111613400B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010393189.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法；所述薄膜是以VO2，MgV2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时，在高真空条件下，在衬底上对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射沉积薄膜。本发明尤其利用镁原子优异的还原性能，将五氧化二钒中﹢5价钒，降价还原﹢4价制备NTC薄膜。通过改变加在镁靶和五氧化二钒靶的功率，调节薄膜中不同成分的比例，同时还可调节薄膜电阻升降温热滞，以及电阻率。相比传统制备NTC薄膜方法，本发明制备薄膜更简单，快捷，高效，且兼容各种衬底；制备出的NTC薄膜不需要高温退火，结晶状况良好；且在室温条件下具有电阻温度系数高，热滞宽度小，薄膜电阻率低，材料常数高等特点。
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公开(公告)号：CN113788452A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111014187.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，包括如下步骤：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；当掩膜材料为非光刻胶材料，将掩模薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；当掩膜材料为光刻胶材料，在玻璃基片上涂覆光刻胶；采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺，可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min，粗糙度降低到40nm以下，侧壁垂直度接近90°。
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公开(公告)号：CN109881158A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910160706.7
申请日：2019-03-04
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 付学成
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明提供了一种减少电子束蒸发过程物料飞溅的坩埚及其制造方法，包括：坩埚本体，所述坩埚本体内的坩埚壁上开设有多条相互平行的沟槽，所述沟槽的截面以及所述沟槽与所述坩埚壁连接处的截面为光滑的弧形。本发明利用毛细现象吸附漂浮在熔融金属液面上的杂质颗粒。当杂质颗粒被吸附在沟槽内时，沟槽内的电场相对较小，不利于杂质颗粒产生尖端放电，能有效地减少电子束蒸发过程中减少物料的飞溅。
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