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公开(公告)号：CN106409923A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610982274.4
申请日：2012-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，包括：第一工序，对半导体基板的一面侧的一部分涂敷含有杂质元素的浆料；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使杂质元素从浆料扩散到所述浆料的下部区域而在所述浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了杂质元素的第一杂质扩散层；第三工序，在处理室中保持半导体基板的状态下，在处理室内，接着第一热处理以与第一热处理不同的杂质元素的扩散条件对半导体基板实施含有杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使杂质元素从含掺杂物气体扩散到未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了杂质元素的第二杂质扩散层。
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公开(公告)号：CN103137529B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210497527.0
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/673 , H01L21/22 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L21/223 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明得到一种使用横型的热处理炉进行均匀性优良的热处理的半导体晶片的热处理方法及使用其的太阳能电池的制造方法。其具有：将多个半导体晶片（1）相互平行立起地搭载于处理用舟皿（2）的工序；沿多个半导体晶片（1）的平面相对于管（3）的延伸方向平行的方向将处理用舟皿（2）投入管（3）内的喷射器（5）的上方的空间的工序；从喷射器（5）的开口部（H）将原料气体向管（3）内连续地供给的同时加热管（3）的工序。
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公开(公告)号：CN102893409A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201080066804.1
申请日：2010-05-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 为了高速且高精度地形成逆金字塔状的纹理构造，利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在使用了单晶硅的光电动势装置表面形成防反射纹理时，使用脉冲激光和激光波束分支部件，在成为所期望的金字塔状凹部的底面的正方形的对角线方向上加工多个激光孔，使各正方形之间的激光孔的间距大于所述对角线上的间距。
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公开(公告)号：CN102362356A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200980158262.8
申请日：2009-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 包含：对形成在半导体衬底101a的表面的保护膜102形成开口部103的步骤；将保护膜102作为掩模实施使用了酸性溶液的第1蚀刻处理，在开口部103的下部及其附近区域形成第1凹部104的步骤；将保护膜102作为掩模实施蚀刻处理，除去形成在第1凹部104的表面的氧化膜104a的步骤；将保护膜102作为掩模实施各向异性蚀刻，在开口部103的下部及其附近区域形成第2凹部106的步骤；以及除去保护膜102的步骤。
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公开(公告)号：CN116868309A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180092263.8
申请日：2021-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法。将生长基板(3)上形成的氮化物半导体层(1)经由可逆性粘接层(4)与支承基板(5)贴合。其次，除去生长基板(3)，将新的基板(2)接合于露出的氮化物半导体层(1)，然后，将可逆性粘接层(4)和支承基板(5)除去。其结果，将氮化物半导体层(1)从生长基板(3)上转移到新的基板(2)上。在将氮化物半导体层(1)与新的基板(2)接合的工序中，进行使氮化物半导体层(1)与新的基板(2)加压接触的工序、使可逆性粘接层(4)软化的工序、和使可逆性粘接层(4)再固化的工序。
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公开(公告)号：CN108604870B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201680081655.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。
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公开(公告)号：CN108780825A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680082530.2
申请日：2016-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18
Abstract: 其目的在于在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：在具有受光面(1A)及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及对n型单晶硅基板(1)进行加热，从BSG膜(2)使作为第2导电类型的杂质的硼扩散，形成p型扩散层(7)的热处理工序，在pn分离工序之前，形成BSG膜(2)以及对BSG膜(2)进行加热来形成p型扩散层(7)，去除BSG膜(2)。进而，在用于形成p型扩散层(7)的热处理工序之前，包括去除被形成在背面(1B)的含硼的生成物、含氧化硅的生成物等固相扩散源的工序。
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公开(公告)号：CN102473751B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , C03C15/00
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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公开(公告)号：CN101960617B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200880127894.3
申请日：2008-03-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 具备：P型硅基板101；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层102L；在低电阻N型扩散层102L上形成的栅电极111；在背面形成的P+层110；以及在P+层110上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层102L的上表面到达硅基板101的方式，按照规定间隔设置的凹部106，在相邻的凹部106之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层102L，在从凹部106的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层102H。
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公开(公告)号：CN101652866B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200780052695.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02363 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种可以简便地形成纵横比大于0.5的组织的光伏装置的制造方法。包括：在硅基板上形成具有耐蚀刻性的膜的工序；通过照射焦点深度被调整为10μm以上的激光光束，在上述具有耐蚀刻性的膜上打开多个微细孔而使基底的硅基板表面露出的工序；以及对上述硅基板的表面进行蚀刻的工序，在使上述硅基板表面露出的工序中，在上述具有耐蚀刻性的膜的下部的硅基板上，在与上述微细孔同心的位置处形成微细凹陷。
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