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公开(公告)号：CN1153388C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN01116482.4
申请日：2001-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03G3/004 , H03G3/3042
Abstract: 对应于功率放大器的输出功率电平变化偏置电压时功率放大器上产生增益变化。增益补偿控制部(9)根据对应于所希望的输出功率电平而设定的功率放大器(7)的偏置电压导出增益变化量，根据该增益变化量，导出可变增益放大器(21，3，4，6)中的至少一个的控制电压值。可变增益放大器增益控制电路(10)向可变增益放大器施加该控制电压后补偿功率放大器(7)中生成的增益。
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公开(公告)号：CN1109401C
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN99126708.7
申请日：1999-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够抑制由进行高频信号功率放大的HBT构成的多级功率放大器中输出功率降低时的Rx噪声增加的多级功率放大器的偏置电路及其偏置供给方法。对于构成功率放大器2的第一级放大器的HBT11a，把从外部控制电路17输入的信号Vapc输出到基极，在构成功率放大器2的其它放大器的各HBT11b以及11c的各基极上，从由信号Vapc进行动作控制的恒定电压电路22b以及22c供给偏置电流。
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公开(公告)号：CN104272587A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380019028.3
申请日：2013-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/22 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/68 , H03F2200/421 , H03F2203/21139 , H03F2203/21175
Abstract: 构成为FET2的端子间耐压(耐压B)比FET1的端子间耐压(耐压A)高，且FET1的栅极宽度(Wg1)比FET2的栅极宽度(Wg2)小。由此，能够确保高输出功率，并且能够提高增益。另外，由于连接至输入端子3的FET1的栅极宽度(Wg1)小，所以能够力求级联放大器的小型化。
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公开(公告)号：CN101542897A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200680056481.1
申请日：2006-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/318 , H03F2200/366 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/456 , H03F2203/7233 , H03F2203/7236 , H03H7/38
Abstract: 本发明提供一种高频放大器，该高频放大器对元件尺寸不同的两个放大元件进行并联连接，按照输出功率的大小对放大元件进行切换，特别设置了输出匹配电路，该输出匹配电路无论输出功率大时还是小时的任何情况下都匹配为特性阻抗(50欧姆)，并且提高从两个放大元件的输出侧的连接点看截止的放大元件的阻抗。结果是可以实现高输出、高效率的特性，另外，具有可以抑制被放大的信号转入到截止的放大元件侧的匹配电路的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1302615C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN00815094.X
申请日：2000-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/604 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F1/3276 , H03F3/193 , H03F3/1935
Abstract: 多个放大器串连连接，并且，设定该放大器的偏置条件使得空载电流小于饱和电流的十分之一来作为末级放大器以外的至少一个以上放大器的偏置条件的多级放大器。
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公开(公告)号：CN1187894C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN00805904.7
申请日：2000-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/602 , H03F1/565 , H03F2200/318 , H03H7/38
Abstract: 在对输入信号进行逐级放大及输出的多级放大器中，把1级高通滤波器型匹配器(28)与1级低通滤波器型匹配器(29)串联连接构成级间匹配电路(26)。该结构在多级放大器的级间匹配条件的最佳化方面是有效的，可提高多级放大器的整体效率。该多级放大器适合于卫星通信、地面微波通信及移动体通信等中发送信号及接收信号的放大。
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公开(公告)号：CN1416616A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN01806367.5
申请日：2001-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/195 , H01L29/737 , H01L29/205
CPC classification number: H01L27/0605 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F2203/21178
Abstract: 本发明的高频半导体器件用于抑制多路HBT的电流集中，同时改善噪声特性的恶化、增益的降低、及功率效率的降低，在构成放大器(10)的初级及输出级的多路HBT中，构成该初级多路HBT(12)的基本HBT(14)由HBT(14a)和与该HBT(14a)的发射极连接的发射极电阻14b构成，构成输出级的多路HBT(16)的基本HBT(18)由HBT(18a)和与该HBT(18a)的基极连接的基极电阻(18c)构成。本发明的高频半导体器件适用作卫星通信、地面微波通信、移动通信等使用的高输出功率放大器。
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公开(公告)号：CN1409892A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN00817061.4
申请日：2000-10-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F3/19 , H03F3/343
Abstract: 在电阻13、14与NPN双极型晶体管12之间具备PNP双极型晶体管21、22，该PNP双极型晶体管21、22将NPN双极型晶体管12的集电极电流定为基准电流，而且构成决定NPN双极型晶体管11的集电极电流的电流镜象20。根据这一点，通过将PNP双极型晶体管21、22的尺寸比设计成使电压降ΔVb成为接近于0的值，在高频输入信号Pin增加且发生了基极整流电流时，可抑制基极电压Vb的电压降ΔVb，作为结果，可得到高输出、高效率。
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公开(公告)号：CN1316843A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01116482.4
申请日：2001-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03G3/004 , H03G3/3042
Abstract: 对应于功率放大器的输出功率电平变化偏置电压时功率放大器上产生增益变化。增益补偿控制部9根据对应于所希望的输出功率电平而设定的功率放大器7的偏置电压导出增益变化量，根据该增益变化量，导出可变增益放大器21,3,4,6中的至少一个的控制电压值。可变增益放大器增益控制电路10向可变增益放大器施加该控制电压后补偿功率放大器7中生成的增益。
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