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公开(公告)号：CN110663109A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201780091077.6
申请日：2017-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在散热器(1)之上安装有半导体芯片(2、3)。多个引线端子(5、6)与半导体芯片(2、3)连接。多个引线端子(5、6)具有使高频信号通过的第1引线端子。彼此分离的多个电介质(10、11)分别单独地设置在多个引线端子(5、6)与散热器(1)之间。封装树脂(12)将半导体芯片(2、3)、多个引线端子(5、6)以及多个电介质(10、11)进行封装。
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公开(公告)号：CN117956965A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202180102236.4
申请日：2021-09-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在本公开的看护系统及看护方法中，热图像取得部(3)安装于在被护理人员(1)躺在床(2)上的情况下被护理人员(1)的头所在一侧的壁(4)或顶棚(5)，从斜上方对床(2)及其周围进行拍摄而取得热图像。基准设定部(12)设定热图像中的与床(2)的左端和右端对应的2条基准线(8、9)、和用于对被护理人员的起床进行判定的基准高度(10)。热源检测部(13)对热图像中的热源的块(11)进行检测。状态判定部(14)根据由基准线(8、9)和基准高度(10)包围起来的安全区域(15)与热源的块(11)的位置关系，来判定被护理人员(1)的状态。判定结果输出部(7)输出状态判定部(14)的判定结果。
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公开(公告)号：CN107068623B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610827446.0
申请日：2016-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/49 , H03F3/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
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公开(公告)号：CN107068623A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610827446.0
申请日：2016-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/49 , H03F3/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1109401C
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN99126708.7
申请日：1999-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够抑制由进行高频信号功率放大的HBT构成的多级功率放大器中输出功率降低时的Rx噪声增加的多级功率放大器的偏置电路及其偏置供给方法。对于构成功率放大器2的第一级放大器的HBT11a，把从外部控制电路17输入的信号Vapc输出到基极，在构成功率放大器2的其它放大器的各HBT11b以及11c的各基极上，从由信号Vapc进行动作控制的恒定电压电路22b以及22c供给偏置电流。
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公开(公告)号：CN110663109B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780091077.6
申请日：2017-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在散热器(1)之上安装有半导体芯片(2、3)。多个引线端子(5、6)与半导体芯片(2、3)连接。多个引线端子(5、6)具有使高频信号通过的第1引线端子。彼此分离的多个电介质(10、11)分别单独地设置在多个引线端子(5、6)与散热器(1)之间。封装树脂(12)将半导体芯片(2、3)、多个引线端子(5、6)以及多个电介质(10、11)进行封装。
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公开(公告)号：CN107026623B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201710024873.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。
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公开(公告)号：CN107026623A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710024873.X
申请日：2017-01-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到即使在多个FET单元并联连接的情况下也能抑制热失控的功率放大器。多个FET单元(3a、3b、3c)相互并联连接。电阻(4a、4b、4c)各自对应地连接于FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子和接地端子间。电阻(5a、5b、5c)一端与FET单元(3a、3b、3c)的栅极端子分别连接，另一端相互连接。电容(6a、6b、6c)与电阻(5a、5b、5c)分别并联连接。电阻(7)连接于电阻(5a、5b、5c)的另一端的连接点和电源端子(8)之间。电阻(4a、4b、4c)具有比电阻(5a、5b、5c)及电阻(7)大的电阻温度系数，配置为比电阻(7)更接近所对应的FET单元(3a、3b、3c)。
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公开(公告)号：CN1274989A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN99126708.7
申请日：1999-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够抑制由进行高频信号功率放大的HBT构成的多级功率放大器中输出功率降低时的Rx噪声增加的多级功率放大器的偏置电路及其偏置供给方法。对于构成功率放大器2的初级放大器的HBT11a,把从外部控制电路17输入的信号Vapc输出到基极,在构成功率放大器2的其它放大器的各HBT11b以及11c的各基极上,从由信号Vapc进行动作控制的恒定电压电路22b以及22c供给偏置电流。
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