公开(公告)号：CN1526807A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410005492.X

申请日：2004-02-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀 ,  山田健二 ,  清水英贵 ,  津金贤 ,  小国诚基 ,  木村善哉

IPC: C11D7/26 ,  H05K3/26

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。

公开(公告)号：CN110651008A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201880033297.8

申请日：2018-05-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 杉山源希 ,  吉谷耕平 ,  清水英贵 ,  丸山博义

IPC: C08L69/00 ,  C08G63/547 ,  C08G63/79 ,  C08G64/00 ,  C08G64/20 ,  C08J5/04 ,  C08K3/04 ,  C08K5/02 ,  C08K7/06 ,  C08L67/03

Abstract: 本发明的课题在于提供一种由成型加工性高的碳纤维强化热塑性树脂形成的片材和该树脂的制造方法。该课题能够通过如下片材解决，该片材由碳纤维强化热塑性树脂形成，该碳纤维强化热塑性树脂含有包含聚碳酸酯树脂和聚芳酯树脂中的至少一种的热塑性树脂、碳纤维以及二氯甲烷，上述聚碳酸酯树脂和聚芳酯树脂中的至少一种具有源自下述通式(1)所示的一元酚的末端结构和源自二元酚的结构单元，上述片材所含的上述二氯甲烷的含量为10～10,000质量ppm。(通式(1)中，R1表示碳原子数8～36的烷基或碳原子数8～36的烯基，R2～R5分别独立地表示氢、卤素、可以具有取代基的碳原子数1～20的烷基或可以具有取代基的碳原子数6～12的芳基。)，

公开(公告)号：CN110621725A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880031382.0

申请日：2018-05-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 杉山源希 ,  吉谷耕平 ,  清水英贵 ,  丸山博义

IPC: C08J5/04 ,  C08G63/193 ,  C08G64/04

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够简化制造工序、由机械特性优异的碳纤维强化热塑性树脂构成的片材以及该片材的制造方法。该课题能够通过由包含热塑性树脂、碳纤维和二氯甲烷的碳纤维强化热塑性树脂构成的片材得到解决，该热塑性树脂含有聚碳酸酯树脂和聚芳酯树脂中的至少一种，上述片材中所含的上述二氯甲烷的含量为10～10,000质量ppm。

公开(公告)号：CN104718079A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380047509.5

申请日：2013-09-20

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  MGC菲尔须特股份有限公司

Inventor： 大西猛史 ,  柿木修 ,  中安康善 ,  清水英贵 ,  相川浩彦

IPC: B32B27/36 ,  B29C45/14 ,  B29C51/10 ,  B29C51/14 ,  B32B27/30 ,  B29K33/04 ,  B29K67/00 ,  B29K69/00 ,  B29L9/00 ,  C08L33/06 ,  C08L33/12 ,  C08L67/00 ,  C08L69/00

CPC classification number: B32B27/08 ,  B05D3/007 ,  B05D2201/04 ,  B29C45/14 ,  B29C45/14778 ,  B29K2033/08 ,  B29K2995/0026 ,  B32B27/308 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2250/24 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/536 ,  B32B2307/558 ,  B32B2307/71 ,  B32B2307/738 ,  B32B2457/00 ,  B32B2601/00 ,  B32B2605/003 ,  C08L33/12 ,  C08L67/02 ,  C08L69/00 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/31507 ,  B29C51/10 ,  B29C51/14 ,  B29K2033/04 ,  C08L33/06 ,  C08L67/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种合成树脂叠层体和将该合成树脂叠层体成型而得到的成型体，该合成树脂叠层体用于透明性的基板材料或保护材料，且热成型(气压成型、热弯曲成型)性、嵌件成型性优异，表面硬度和/或耐冲击性优异。将含有特定的(甲基)丙烯酸酯共聚树脂和特定的聚碳酸酯树脂的树脂叠层于聚碳酸酯类基材层的单面或双面，制成合成树脂叠层体，聚碳酸酯类基材层通过进行混合聚合物化，使该基材层的玻璃化转变温度(Tg)为110～130℃，由此得到热成型性和表面硬度优异的合成树脂叠层体。

公开(公告)号：CN100526450C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200410005492.X

申请日：2004-02-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀 ,  山田健二 ,  清水英贵 ,  津金贤 ,  小国诚基 ,  木村善哉

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/08 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  H05K3/26

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。

公开(公告)号：CN1578932A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN02821688.1

申请日：2002-10-31

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 清水英贵 ,  松永裕嗣 ,  大户秀 ,  池本一人

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

Abstract: 在本发明的抗蚀剂剥离方法中，在氧气比例为2％体积或更低的氛围中，使具有残留抗蚀剂层的布线基质与抗蚀剂剥离组合物接触。优选在用过氧化氢预处理残留的抗蚀剂层之后除去抗蚀剂。在本发明的抗蚀剂剥离方法中优选使用含胺化合物、溶剂、强碱和水的抗蚀剂剥离组合物。