公开(公告)号：CN113604885B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202110907715.5

申请日：2017-08-04

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 三川丰 ,  藤泽英夫 ,  望月多惠 ,  浪田秀郎 ,  川端绅一郎

IPC: C30B29/40 ,  C30B7/10 ,  C30B33/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。

公开(公告)号：CN113604885A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110907715.5

申请日：2017-08-04

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 三川丰 ,  藤泽英夫 ,  望月多惠 ,  浪田秀郎 ,  川端绅一郎

IPC: C30B29/40 ,  C30B7/10 ,  C30B33/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。

公开(公告)号：CN109563642B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201780048923.6

申请日：2017-08-04

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 三川丰 ,  藤泽英夫 ,  望月多惠 ,  浪田秀郎 ,  川端绅一郎

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C30B7/10 ,  C30B33/06

Abstract: 导电性C面GaN基板可优选用于氮化物半导体器件的制造等。在室温下导电性C面GaN基板的电阻率为2×10‑2Ωcm以下或n型载流子浓度为1×1018cm‑3以上，进而在至少一个主表面上能够绘制至少一条满足下述条件(A1)和(B1)中的至少一者的长度40mm的作为假想线段的第一线段。(A1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的FWHM的最大值小于30arcsec；(B1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的峰角度的最大值与最小值之差小于0.2°。

公开(公告)号：CN101983263A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200980112030.9

申请日：2009-03-24

Applicant: 株式会社福田结晶技术研究所 ,  东京电波株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 三川丰 ,  福富敬次 ,  铃木崇雄 ,  伊藤浩久

IPC: C30B29/16 ,  C30B7/10

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明涉及锂浓度足够低且具有高结晶度的氧化锌单晶的简便的制造方法。本发明使用锂浓度为1ppm(重量基准)以下的溶液，将晶体生长温度的变化幅度控制在5℃以内、或是在300～370℃的温度范围内通过水热合成法使氧化锌晶体生长。

公开(公告)号：CN105917035B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480073300.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 塚田悠介 ,  长尾哲 ,  镰田和典 ,  田代雅之 ,  藤户健史 ,  藤泽英夫 ,  三川丰 ,  梶本哲治 ,  深田崇

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B23/025 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。

公开(公告)号：CN103443337A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280014475.5

申请日：2012-03-21

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 藤泽英夫 ,  三川丰 ,  镰田和典

IPC: C30B7/10 ,  C01B21/06 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B7/10 ,  C30B7/105 ,  C30B7/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明涉及氮化物结晶的制造方法，该制造方法的特征在于，其包含下述工序：在反应容器中加入具有六方晶系结晶结构的晶种、含有氮的溶剂、原料、以及含有选自氯、溴和碘的1种以上的卤素元素并含有氟的矿化剂，对于该反应容器内的温度和压力进行控制以使得上述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，使氮化物结晶在上述晶种的表面生长。