公开(公告)号：CN1601756A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410074901.1

申请日：2004-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 恩田全人 ,  久保博稔 ,  宫原正二 ,  石田裕康

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7813 ,  Y10S257/908

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。其解决现有的功率MOSFET通过宽的环状区和屏蔽金属来防止周边的翻转时的周边区域的面积变大使扩大元件区域的面积是有限的。本发明半导体装置设置MIS(MOS)结构的防止翻转区域。其宽度例如只要有多晶硅宽度便可，在沟槽深度方向获取氧化膜面积。由此，即使不扩大周边区域的面积也可减少泄漏电流，由于元件区域扩大，故可降低MOSFET的接通电阻。