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公开(公告)号:CN101542741A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200880000648.1
申请日:2008-09-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7809
Abstract: 本发明用于在沟槽栅型晶体管中实现栅极电容的降低、结晶缺陷发生的抑制及栅极耐压的提高。在N-型半导体层(12)上形成沟槽(14)。在沟槽(14)的底部及其附近,形成在角部(12A、12B)处带有圆度且厚度均匀的硅氧化膜(15A)。另外,在沟槽(14)的侧壁的上方,形成比硅氧化膜(15A)薄、在角部(12C、12D)处带有圆度的硅氧化膜(15B)。并且,形成从沟槽(14)内向外侧延伸的栅电极(18)。基于厚的硅氧化膜(15A)可降低栅极电容,基于其上方薄的硅氧化膜(15B)可确保优良的晶体管特性。另外,基于角部(12A、12B)的圆度,不易发生结晶缺陷,并且使栅极电场分散,提高栅极耐压。
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公开(公告)号:CN301565810S
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN201030596138.5
申请日:2010-11-03
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 1.外观设计产品的名称:太阳能电池模块。2.外观设计产品的用途:太阳能电池模块。3.外观设计的设计要点:图中所示产品的形状和结构。4.指定用于出版专利公报的图片或者照片:设计1主视图。5.指定设计1为基本设计。6.设计1仰视图与设计1俯视图相同,省略设计1仰视图;设计1左视图与设计1右视图相同,省略设计1左视图;设计2仰视图与设计2俯视图相同,省略设计2仰视图;设计2左视图与设计2右视图相同,省略设计2左视图。7.在“设计2表示透明部分的后视参考图”中,斜线部分为透明。
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公开(公告)号:CN301565809S
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN201030596013.2
申请日:2010-11-03
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 1.外观设计产品的名称:太阳能电池。2.外观设计产品的用途:太阳能电池。3.外观设计的设计要点:图中所示的电极的形状。4.指定用于出版专利公报的图片或者照片:设计1主视图。5.指定设计1为基本设计。6.设计1仰视图与设计1俯视图相同,省略设计1仰视图;设计1左视图与设计1右视图相同,省略设计1左视图;设计2仰视图与设计2俯视图相同,省略设计2仰视图;设计2左视图与设计2右视图相同,省略设计2左视图。7.在“设计1表示各部分名称的A-A部分放大参考图”中101为电极;在“设计1表示各部分名称的后视参考图”中102为电极;在“设计2表示各部分名称的A-A部分放大参考图”中201为电极;在“设计2表示各部分名称的后视参考图”中202为电极。
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