公开(公告)号：CN101211974A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710186573.8

申请日：2007-12-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山冈义和 ,  岛田聪 ,  藤田和范 ,  笹田一弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，具备：沟槽部、在沟槽部的表面上形成的绝缘膜、栅电极、源极杂质区域，栅电极的与绝缘膜接触的部分的上端部位于为了形成源极杂质区域而从半导体基板的表面上导入的杂质相对于绝缘膜的粒子射程以上深度的位置，且位于比源极杂质区域的下表面靠上的位置。由此，获得能抑制栅绝缘膜的绝缘耐压降低并能抑制制造工艺复杂化的半导体装置。