公开(公告)号：CN1667847A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510008476.0

申请日：2005-02-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里竜也 ,  广山良治 ,  畑雅幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种可提高光取出效率的氮化物系半导体发光元件。该氮化物系半导体发光元件包括：在导电性基板表面上形成的第一氮化物系半导体层；在第一氮化物系半导体层上形成的活性层；在活性层上形成的第二氮化物系半导体层；和，在第二氮化物系半导体层上形成、载流子浓度比第二氮化物系半导体层的载流子浓度低的光透过层。

公开(公告)号：CN1169036A

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN97110806.4

申请日：1997-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里竜也 ,  狩野隆司 ,  上田康博 ,  松下保彦 ,  八木克己

IPC: H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层。