薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN1738011A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200410075870.1

    申请日:2004-12-31

    Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法,包括在衬底上形成非晶硅层的步骤,在非晶硅层上形成帽盖层的步骤,在帽盖层上形成金属催化剂层的步骤,在金属催化剂层上经选择性辐照激光束扩散金属催化剂的步骤,晶化非晶硅层的步骤。本发明具有如下优点:提供了一种制造薄膜晶体管的方法,其中该薄膜晶体管的制造方法通过利用选择性辐照激光束均匀控制低浓度催化剂的扩散以及利用超晶粒硅(super grain silicon)方法在非晶硅层晶化过程中控制晶粒尺寸和晶体生长位置和方向,从而改进了器件的性能并获得了器件的均匀性。

    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1734787A

    公开(公告)日:2006-02-15

    申请号:CN200410094226.9

    申请日:2004-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管及其制造方法,该薄膜晶体管具有通过特大晶粒硅(SGS)晶化方法晶化的沟道区,该方法包括:在绝缘基板上形成栅极电极和栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成非晶硅层,继而形成覆盖层和金属催化剂层;进行热处理使非晶硅层晶化成为多晶硅层;以及形成蚀刻停止层、源极和漏极区及源极和漏极电极。该薄膜晶体管包括:绝缘基板;栅极电极,其形成在所述绝缘基板上;栅极绝缘层,形成在所述栅极电极上;多晶硅层,其形成在所述栅极绝缘层上,并且通过特大晶粒硅(SGS)晶化法进行晶化;以及源极和漏极区、源极和漏极电极,它们形成在所述基板的预定区域中。

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