多层电子组件
    13.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118280731A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202311837650.7

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:电容形成部,在电容形成部中第一内电极和第二内电极沿第一方向彼此重叠;第一边缘部,设置在电容形成部的在第二方向上的一个侧表面上且包括第一内电极的端部,并且/或者设置在电容形成部的在第二方向上的另一侧表面上且包括第二内电极的端部。介电层具有设置在介电层的包括在电容形成部中的区域的中央处的第一区域和包括在第一边缘部中的第二区域。Mg、Si、Al、Li、Cu、Na、Bi、Mn、Cr、V、Fe、Ni、Co、Sn、In、Ga、Zn、Pb、Ag、Pd、Pt、Ir、Ru、Os、Y、Er、Yb、Tb、Ho、Dy中的至少一种元素包含在第二区域中而基本上不包含在第一区域中。

    多层电子组件
    14.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118197808A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202311713556.0

    申请日:2023-12-13

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件,所述多层电子组件可通过调节包括在介电层的第一区域和/或第二区域中的元素的含量的比以减小第一区域中的介电晶粒尺寸分散性和晶粒密度与第二区域中的介电晶粒尺寸分散性和晶粒密度的差异来改善击穿电压(BDV)特性。

    多层电子组件
    15.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117133546A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310017400.2

    申请日:2023-01-06

    Abstract: 本公开提供多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括多个介电层和内电极;外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极;以及金属氧化物或准金属氧化物,设置在所述主体与所述外电极之间。所述金属氧化物或准金属氧化物包括钙(Ca)、锌(Zn)和硅(Si)的氧化物,并且还包括从由钡(Ba)、硼(B)和铝(Al)的氧化物组成的组中选择的至少一种。

    电容器
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107305812B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201611010116.9

    申请日:2016-11-16

    Abstract: 本发明公开一种电容器。根据本发明的一实施例的电容器包括:主体,所述主体具有内部(inner)有效区域以及外部(outer)有效区域,所述内部有效区域包括第一厚度的第一介电体层;所述外部有效区域布置在所述内部有效区域的至少一侧,并包括第二厚度的第二介电体层,并且,所述第二厚度满足比所述第一厚度厚20%至25%的条件。据此,可以确保主体内部的介电体层的厚度,从而确保电容器的耐电压特性。

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