公开(公告)号：CN118280731A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311837650.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金珍友 ,  朴文秀 ,  卢承炫 ,  黄问暻 ,  金忠焕 ,  金贤佑

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：电容形成部，在电容形成部中第一内电极和第二内电极沿第一方向彼此重叠；第一边缘部，设置在电容形成部的在第二方向上的一个侧表面上且包括第一内电极的端部，并且/或者设置在电容形成部的在第二方向上的另一侧表面上且包括第二内电极的端部。介电层具有设置在介电层的包括在电容形成部中的区域的中央处的第一区域和包括在第一边缘部中的第二区域。Mg、Si、Al、Li、Cu、Na、Bi、Mn、Cr、V、Fe、Ni、Co、Sn、In、Ga、Zn、Pb、Ag、Pd、Pt、Ir、Ru、Os、Y、Er、Yb、Tb、Ho、Dy中的至少一种元素包含在第二区域中而基本上不包含在第一区域中。

公开(公告)号：CN118197808A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311713556.0

申请日：2023-12-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄问暻 ,  朴文秀 ,  卢承炫 ,  金珍友 ,  金忠焕 ,  金贤佑

IPC: H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件，所述多层电子组件可通过调节包括在介电层的第一区域和/或第二区域中的元素的含量的比以减小第一区域中的介电晶粒尺寸分散性和晶粒密度与第二区域中的介电晶粒尺寸分散性和晶粒密度的差异来改善击穿电压(BDV)特性。