公开(公告)号：CN1990909A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610121476.6

申请日：2006-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星昊 ,  李明宰 ,  具俊谟 ,  徐范锡

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/2918

Abstract: 本发明提供一种在低于450℃的低温下利用有机－金属蒸发法形成碳纤维的方法。该形成碳纤维的方法包括：在将基底装入反应室中之后，加热该基底并将基底保持在200～450℃的温度下；制备含Ni的有机金属化合物；通过蒸发该有机金属化合物，形成有机金属化合物蒸汽；及通过促进所述反应室中有机金属化合物蒸汽与含臭氧的反应气体之间的化学反应，在基底上形成碳纤维。

公开(公告)号：CN1909194A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610105892.7

申请日：2006-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  徐范锡 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  申尚旻 ,  金锡必

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了能够增加贵金属层在铁电层上的沉积速率的制造材料层的方法、使用该材料层的铁电电容器的制造方法、通过该方法制造的铁电电容器、以及具有该铁电电容器的半导体存储器及其制造方法。根据制造材料层的方法，形成了铁电电容器。之后，将铁电层暴露于籽等离子体，包括籽等离子体的源材料的材料层形成在铁电层暴露于籽等离子体的区域上。

公开(公告)号：CN1694256A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510076258.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  李正贤 ,  赵重来 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  申尚旻

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

公开(公告)号：CN1573385A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410001563.9

申请日：2004-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  金世润 ,  金京濂

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/42

CPC classification number: H04B10/40

Abstract: 一种具有至少一个布喇格衍射光栅用于使发送和接收光信号侧的串扰最小的光多路分解器，以及一种使用该光多路分解器的光通信模块。该光多路分解器具有在预定部分彼此紧邻设置以执行模式耦合的第一和第二波导，所以经第一波导的一端输入的光信号经第二波导透射到光接收单元，以及其中将经第一波导的另一端输入的输出光波经第一波导的一端输出。具有波长选择性的第一布喇格衍射光栅形成于第二波导上，该光栅通过近似100％地透射光信号的接收波长以及近似100％地反射输出光波的波长而使串扰最小。

公开(公告)号：CN113871377A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110732057.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金弘源 ,  具俊谟 ,  金延姝 ,  金尹熙 ,  金钟局 ,  李斗焕 ,  李政昊

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装件，包括：基底衬底；插件封装件，其设置在基底衬底上；以及第一半导体芯片和第二半导体芯片，它们设置在插件封装件上，插件封装件包括：第一重新分布层；桥接芯片，其包括桥接电路；以及竖直连接结构，其包括多个布线层，并且其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个通过第一重新分布层电连接到桥接电路和多个布线层。

公开(公告)号：CN101626023A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140052.8

申请日：2009-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  具俊谟 ,  尹泰应

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括：第一半导体层，沿第一方向延伸；第二半导体层，平行于第一半导体层延伸并与第一半导体层分隔开；隔离层，在第一半导体层与第二半导体层之间；第一控制栅极电极，在第一半导体层与隔离层之间；第二控制栅极电极，在第二半导体层与隔离层之间，其中第二控制栅极电极和第一控制栅极电极分别设置在隔离层的相反侧；第一电荷存储层，在第一控制栅极电极与第一半导体层之间；以及第二电荷存储层，在第二控制栅极电极与第二半导体层之间。

公开(公告)号：CN101369584A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810134077.2

申请日：2008-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  金锡必 ,  陈暎究 ,  金元柱 ,  柳寅儆 ,  朴允童

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置以及一种制造所述非易失性存储装置的方法，所述非易失性存储装置可具有较高的集成密度、改善的或最佳的结构和/或降低或最小化相邻的单元之间的干扰，并且不使用SOI基底。所述非易失性存储装置可包括：半导体基底，包括主体和从主体突出的一对翅片；埋入绝缘层，填充在所述一对翅片之间；一对浮置栅电极，在所述一对翅片的外表面上并且其高度比所述一对翅片的高度高；控制栅电极，在所述一对浮置栅电极上。

公开(公告)号：CN101232025A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810003982.4

申请日：2008-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  李太熙

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  G11C16/10

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储装置及其操作方法，示例实施例的非易失性存储装置能够具有提高的集成度和可靠性。示例实施例的非易失性存储装置可包括：第一控制栅极，在半导体基底上；第一电荷存储层，可位于半导体基底和第一控制栅极之间；源区，可限定在位于第一控制栅极的一侧的半导体基底中；第一辅助栅极，可位于第一控制栅极的另一侧，并可凹陷到半导体基底中第一漏区，可限定在位于第一辅助栅极的与第一控制栅极相对的一侧的半导体基底中；位线，可连接到第一漏区。

公开(公告)号：CN1652336A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510056566.7

申请日：2005-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  赵重来

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供了一种电容器、包括该电容器的存储器件，以及制造该电容器和该存储器件的方法。该电容器包括下电极，形成在下电极上的介质膜，以及形成在介质膜上的上电极，该下电极是由贵金属合金构成的单层。

公开(公告)号：CN101192621B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710187399.9

申请日：2007-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  具俊谟

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器装置及其制造方法。在该非易失性存储器装置中，至少一个第一传导类型的第一半导体层可相互分隔开地形成在基底的部分上。多个第一阻抗变化存储层可接触至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁。多个第二传导类型的第二半导体层可置于至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁和多个第一阻抗变化存储层之间，第二传导类型与第一传导类型相反。多个位线电极可连接到多个第一阻抗变化存储层的每个。