公开(公告)号：CN109904161A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811311113.8

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李峭蒑 ,  金锡勋 ,  梁裕信 ,  李承勋 ,  崔珉姬

IPC: H01L27/11

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案；以及填充形成在第一有源图案的上部上的第一凹部的第一源极/漏极图案。该第一源极/漏极图案包括第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。第一半导体图案具有第一面、第二面和当第一面和第二面彼此会合时限定的第一角边缘。该第二半导体图案覆盖第一半导体图案的第一面和第二面并暴露第一角边缘。

公开(公告)号：CN109427778A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810993514.X

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金东明 ,  申东石 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  张星旭 ,  赵南奎 ,  崔珉姬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一鳍型图案；在基板上的第二鳍型图案，平行于第一鳍型图案；以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。

公开(公告)号：CN108074984A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711128763.4

申请日：2017-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  李炫姃 ,  金坰喜 ,  金善政 ,  金真范 ,  慎一揆 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。

公开(公告)号：CN101447502B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810212778.3

申请日：2008-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  李承勋 ,  金锡必

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种可以具有堆叠结构并可以以增大的密度容易地集成的非易失性存储装置以及制造该非易失性存储装置和使用该非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一对第一电极线。至少一条第二电极线可以在所述至少一对第一电极线之间。至少一个数据存储层可以在所述至少一对第一电极线和所述至少一条第二电极线之间，并可以局部地存储电阻变化。

公开(公告)号：CN101446723B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810178803.0

申请日：2008-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁英喆 ,  陆建钢 ,  李承勋

IPC: G02F1/1362 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G02F1/1393 ,  G02F2001/134345 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0443 ,  G09G2300/0447 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/068

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其包括彼此并行排列并顺序传送栅电压的第一和第二栅线；与第一和第二栅线交叉并传送数据电压的数据线；由第一和第二子像素电极构成、并彼此电断开的像素电极；连接到第一栅线、数据线和第一子像素电极的第一开关元件；连接到第一栅线、数据线和第二子像素电极的第二开关元件；穿过电荷共享电容器连接到第一子像素电极的第三开关元件；以及连接到第二栅线和第二子像素电极、并穿过电荷共享电容器连接到第一子像素电极的第四开关元件。

公开(公告)号：CN102566064A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110326250.0

申请日：2011-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑承俊 ,  尹海荣 ,  李承勋 ,  尹一镛 ,  金镇焕

IPC: G02B27/22 ,  G02F1/29 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1337

CPC classification number: G02B27/2214 ,  G02B5/1828 ,  G02B5/1842 ,  G02B5/1876 ,  G02B5/1885 ,  G02B27/4205 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/292 ,  H04N13/305 ,  H04N13/356 ,  H04N13/359

Abstract: 一种利用衍射元件的图像显示设备，包括：显示面板，用于显示图像，以及衍射元件，形成为以2D模式或3D模式工作，使得显示面板的图像在经过衍射元件之后作为2D图像或3D图像被感知到。在该图像显示设备中，衍射元件包括：彼此面对的第一基板和第二基板；第一电极层，形成在第一基板上，所述第一电极层包括多个区段；第二电极层，形成在第二基板上；以及液晶层，介于第一基板与第二基板之间。此外，当衍射元件以3D模式工作时，对第二电极层施加公共电压，并且，对第一电极层施加的电压相对于公共电压的极性对于相邻区段反向。

公开(公告)号：CN101545771B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910129834.1

申请日：2009-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  朴允童 ,  金元住 ,  李承勋 ,  赵寅成

IPC: G01C3/08

CPC classification number: G01C3/08 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/89

Abstract: 本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括：光电转换区；第一电荷存储区和第二电荷存储区；第一沟槽和第二沟槽；和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。

公开(公告)号：CN102338951A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110038592.2

申请日：2011-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承勋 ,  尹海荣 ,  郑炅浩 ,  金熙燮 ,  金辉

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02B27/22

CPC classification number: G02B27/2214 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/134345 ,  H04N13/305 ,  H04N13/31 ,  H04N13/324

Abstract: 一种立体图像显示器，包括：包含像素的显示面板，该像素具有第一子像素和与所述第一子像素相邻布置的第二子像素，其中所述第一子像素和所述第二子像素沿子像素边界线相邻，所述子像素边界线是被布置在所述第一子像素和所述第二子像素之间的界面处的虚拟线；以及柱状透镜，布置在所述显示面板上，所述柱状透镜具有透镜光轴，其中，所述透镜光轴和所述子像素边界线可以彼此相交，并且所述子像素边界线的一部分可以与所述透镜光轴基本上并行。

公开(公告)号：CN102193240A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010600903.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金辉 ,  辈智贤 ,  郑炅浩 ,  李承勋 ,  金熙燮

IPC: G02F1/1335 ,  G02B27/22

CPC classification number: H01J9/00 ,  H04N13/30

Abstract: 本发明提供了一种显示装置及其形成方法。所述显示装置包括显示面板和光学构件。所述显示面板包括多个像素并显示2D图像。所述光学构件包括多个透镜，每个透镜具有多个焦点，并且构造每个透镜以使显示面板的至少两个像素与一个3D像素对应。光学构件通过使用光学构件的透镜将该2D图像分成左眼图像和右眼图像。

公开(公告)号：CN101290799A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092453.6

申请日：2008-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  金锡必 ,  玄在雄 ,  成政宪 ,  李太熙

IPC: G11C16/02 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。该非易失性存储装置包括以NAND串设置在半导体基底上的存储晶体管。串选择晶体管设置在NAND串的第一端，接地选择晶体管设置在NAND串的第二端。位线在串选择晶体管的外部电连接到半导体基底，并连接到接地选择晶体管的栅电极。