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公开(公告)号：CN112054057B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010106539.0
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。
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公开(公告)号：CN116093107A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211241779.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。
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公开(公告)号：CN107087101B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201710083611.0
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备和一种操作电子设备中的全景功能的方法。所述电子设备包括至少一个处理器、存储器、被配置为如果开始图像捕捉则顺序获得多个图像的相机和被配置为感测电子设备的运动的传感器。所述至少一个处理器被配置为在存储器中存储全景内容文件，该全景内容文件包括基于多个图像和在图像捕捉期间感测到的电子设备的运动生成的全景图像数据和动态全景数据。
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公开(公告)号：CN105933689A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610112507.5
申请日：2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N13/261 , H04N13/117 , H04N13/207 , H04N13/211 , H04N19/137 , H04N2013/0081
Abstract: 提供了一种图像处理方法，包括以下操作：收集第一运动图像；提取关于形成所述第一运动图像的帧中的至少一部分帧的空间信息；将所提取的空间信息反映到与所述第一运动图像相对应的3D视图的生成。
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公开(公告)号：CN1925577A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610110167.9
申请日：2006-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N21/47214 , G06F3/0482 , H04N5/44513 , H04N5/44543 , H04N21/442 , H04N21/44231 , H04N21/462 , H04N21/4722 , H04N21/478 , H04N21/485
Abstract: 提供了为用户界面构造动态菜单的方法和设备。基于所有可执行应用程序准备应用程序相关图。在用户请求时，在应用程序相关图上搜索所有和当前运行的应用程序有关联的应用程序，来构造和显示动态菜单。从而实现了面向用户的界面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925556A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610115623.9
申请日：2006-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/44591 , G06F3/0481 , H04N7/147 , H04N21/4126 , H04N21/4312 , H04N21/443 , H04N21/4438 , H04N21/478 , H04N21/4788 , H04N21/485
Abstract: 在多任务环境中的用户界面方法、系统和设备中，可以让用户通过给多个应用程序指定不同的显示区域而浏览所有同时执行的应用程序。在该方法、系统和设备中，为已经执行的应用程序和被请求要执行的其他应用程序确定优先级，并根据应用程序的优先级确定显示区域的尺寸并指定给每个应用程序。系统包括用来执行后者功能的机顶盒和用来传送用户请求的用户终端，而该设备包括用来执行后者功能的控制单元。
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公开(公告)号：CN112018179B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010096134.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。
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公开(公告)号：CN112018179A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010096134.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：沟道图案，所述沟道图案包括堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极覆盖沟道图案的顶表面和侧表面并沿第一方向延伸，并且包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一栅极段；栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖栅电极的侧表面，并且包括暴露沟道图案的开口；以及第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案位于栅极间隔物的侧部，并且通过开口与沟道图案接触，所述第一源极/漏极图案包括：在第一栅极段的高度处并且在开口的中心处的侧壁中心厚度；以及在第一栅极段的高度处并且在开口的边缘处的侧壁边缘厚度，侧壁边缘厚度为侧壁中心厚度的约0.7至1倍。
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公开(公告)号：CN111742320A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014674.8
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开的某些实施例涉及一种用于在电子装置中通过使用外部电子装置来翻译图像中包括的文本的设备和方法。一种方法包括：在显示器上显示图片，该图片包括在图片内的位置处承载文本的对象；提取文本；从提取的文本生成另一文本；以及将另一文本自动覆盖在显示器上的另一图片中的该对象上，该另一图片在另一图片内的另一位置处包括该对象。
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公开(公告)号：CN110620150A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910412594.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍在衬底上；栅电极，所述栅电极与所述多个有源鳍交叉；以及源/漏极区，所述源/漏极区在所述多个有源鳍上，并在所述栅电极的第一侧和第二侧延伸。所述源/漏极区包括在所述多个有源鳍中一些上的多个下外延层。所述多个下外延层包含具有第一浓度的锗(Ge)。上外延层在所述多个下外延层上并且包含具有高于所述第一浓度的第二浓度的锗。所述多个下外延层具有凸的上表面，并且在所述有源鳍之间彼此连接。
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