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公开(公告)号：CN1606177B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410092115.4
申请日：2004-10-08
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层。该发光器件还包括形成于p型包覆层上由包含的p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层，制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与p型包覆层的欧姆接触，氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的I-V特性，同时由于透明电极的高透光率，有效地增强了器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN100365835C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200410103926.X
申请日：2004-12-23
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0095
Abstract: 提供一种倒装片发光二极管(FCLED)及其制造方法。通过在基片上顺序沉积n型覆层、活性层、p型覆层、和反射层而形成所提供的FCLED。反射层是由添加了溶质元素的银合金形成的。根据所提供的FCLED及其制造方法，提高热稳定性来提高p型覆层的电阻性接触特性，因此当封装所提供的FCLED时提高引线接合效率和产量。另外，由于低特定接触电阻和优良的电流电压特性，提高了所提供的FCLED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1638165A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410104923.8
申请日：2004-12-24
Abstract: 提供了一种具有层状结构的氮化物LED，其中依次层叠有基底、n－型覆盖层、活性层、p－型覆盖层和多层欧姆接触层及其制备方法。在该氮化物LED中，多层欧姆接触层包括第一透明薄膜层/银/第二透明薄膜层的多层。在该氮化物LED及其制备方法中，关于p－型覆盖层的欧姆接触特性得到了提高，因而表现出好的电流－电压特性。而且，由于透明电极有高的透光性能，因而装置的发光效率得到了提高。
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公开(公告)号：CN1638161A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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公开(公告)号：CN100490078C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200410087995.6
申请日：2004-10-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 本发明披露p型电极和使用它的III-V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于III-V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100442549C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410098373.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供了一种GaN基III-V族化合物半导体发光器件和制作GaN基III-V族化合物半导体发光器件的方法。GaN基III-V族化合物半导体发光器件包括：至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层，它们位于n型电极和p型电极之间。P型电极包括：位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层；和位于第一电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第二电极层。
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公开(公告)号：CN1674310A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200410098373.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供了一种GaN基III－V族化合物半导体发光器件和制作GaN基III－V族化合物半导体发光器件的方法。GaN基III－V族化合物半导体发光器件包括：至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层，它们位于n型电极和p型电极之间。P型电极包括：位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层；和位于第一电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第二电极层。
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公开(公告)号：CN110120398B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910084606.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 本发明构思涉及一种图像传感器和电子装置。该图像传感器可以包括：光电二极管，在半导体基板内并配置为感测红外波长光谱中的光；光电转换器件，在半导体基板上并配置为感测可见波长光谱中的光；以及滤波元件，配置为选择性地透过红外波长光谱和可见波长光谱的至少一部分。滤波元件可以包括在光电转换器件上的多个滤色器。光电转换器件可以包括彼此面对的成对电极以及在该成对电极之间并配置为选择性地吸收可见波长光谱中的光的光电转换层。滤波元件可以在半导体基板与光电转换器件之间，并且可以选择性地吸收红外光并选择性地透过可见光。
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公开(公告)号：CN106486599A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610634698.1
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/44 , H01L27/307 , H01L51/4273 , H01L51/441 , Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/4253
Abstract: 本发明提供有机光电子器件和图像传感器。有机光电子器件包括彼此面对的阳极和阴极、在所述阳极和所述阴极之间的光吸收层、以及在所述阴极和所述光吸收层之间的第一辅助层，所述第一辅助层具有约3.0eV-约4.5eV的能带隙，并且所述阴极的功函和所述第一辅助层的最高占据分子轨道(HOMO)能级之间的差值为约1.5eV-约2.0eV。
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公开(公告)号：CN104009158B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201410062108.3
申请日：2014-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了光电子器件以及包括该光电子器件的图像传感器。该光电子器件包括：第一电极，包括第一金属；有源层，设置在第一电极和第二电极之间；以及扩散阻挡层，设置在第一电极和有源层之间，扩散阻挡层包括第二金属，其中第二金属具有比第一金属的热扩散率低的热扩散率，并且其中第一电极和扩散阻挡层配置为透射光。
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