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公开(公告)号：CN101325088A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810110171.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法，所述操作方法为可靠地操作可高度集成的非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括在位线和共源线之间的串选择晶体管、多个存储晶体管和地选择晶体管。在非易失性存储装置中，可以通过将擦除电压施加到位线或共源线来从存储晶体管擦除数据。
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公开(公告)号：CN100421271C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510076219.0
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/38 , H01L51/0038 , H01L51/502 , H01L51/5032 , H01L2251/303
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝发光器件包括形成在衬底上的第一导电层、垂直形成在第一导电层上的多个纳米丝，每一纳米丝具有n型掺杂部分和p型掺杂部分、在n型掺杂部分或p型掺杂部分之间的发光层、填充在分别对应于p型掺杂部分和n型掺杂部分的空间的第一和第二导电有机聚合物，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过向对应的纳米丝表面提供电子或从其接受电子，有机聚和物将对应的纳米丝表面掺杂。
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公开(公告)号：CN112687732B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
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公开(公告)号：CN115377182A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210047021.3
申请日：2022-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括在其中形成沟道的有源区和围绕有源区的场区。HEMT可以包括：沟道层；阻挡层，在沟道层上并被配置为在沟道层中感应二维电子气(2DEG)；在有源区中在阻挡层上的源极和漏极；以及在阻挡层上的栅极。栅极可以在阻挡层上从有源区突出到场区。栅极可以包括第一栅极和第二栅极。第一栅极可以在有源区中，第二栅极可以在有源区和场区之间的边界区中。第二栅极的功函数可以不同于第一栅极的功函数。
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公开(公告)号：CN115346981A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210285504.7
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L21/8232 , H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体集成电路器件，包括：沟道层、势垒层、在势垒层上彼此间隔开的第一p型半导体层和第二p型半导体层；以及在第一p型半导体层和第二p型半导体层上的钝化层。钝化层可以使第一p型半导体层和第二p型半导体层中的至少一个的掺杂剂部分地失活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112909073A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010637763.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底；至少一个掩模层，在第一方向上与衬底间隔开；在衬底与至少一个掩模层之间的第一导电类型的第一半导体区域；在至少一个掩模层上的第二导电类型的第二半导体区域；以及在第一半导体区域上的第一导电类型的第三半导体区域。第三半导体区域可以接触第二半导体区域以在不同于第一方向的第二方向上形成PN结结构。该半导体结构可以应用于垂直功率器件，并且能够提高耐受电压性能和降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN103915488B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410120822.3
申请日：2010-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/66 , H01F10/193 , H01F10/32 , B82Y25/00
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F10/1936 , H01F10/3254
Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。
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公开(公告)号：CN102237401B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110113377.4
申请日：2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28008 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了具有轻掺杂漏极(LDD)区的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。该HEMT包括：源极；漏极；栅极；沟道提供层，用于形成至少二维电子气(2DEG)沟道；以及沟道形成层，至少该2DEG沟道将要形成在沟道形成层中，其中沟道提供层包括具有不同极化率的多个半导体层，沟道提供层的部分是凹陷，多个半导体层中的位于最上层之下的一个层是蚀刻缓冲层，也是用于提供沟道的层。
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公开(公告)号：CN102280992B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201110113535.6
申请日：2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K17/163 , H03K17/284
Abstract: 一种电源设备，包括：开关设备，具有控制端和输出端；以及驱动电路，配置为向该控制端提供驱动电压以使得该控制端与该输出端之间的电压维持小于或等于临界电压。根据该开关设备的电流-电压特性确定该驱动电压达到目标电平所需的上升时间。而且，当该控制端与该输出端之间的电压超过该临界电压时，在该控制端与该输出端之间产生泄漏电流。
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