公开(公告)号：CN112017965B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202010360788.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成有源图案，有源图案包括交替地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；在有源图案的顶表面和侧壁上形成盖图案；在盖图案上执行沉积工艺以形成绝缘层；以及在绝缘层上形成与有源图案交叉的牺牲栅极图案。盖图案具有晶体结构并且与第一半导体图案的侧壁和第二半导体图案的侧壁物理接触。

公开(公告)号：CN118471917A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311359567.3

申请日：2023-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张仁圭 ,  金真范 ,  郑秀珍 ,  金傔 ,  金茶惠

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，设置在基底上；栅极结构，设置在有源图案上；沟道，设置在基底上并且在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开；第一外延层，设置在有源图案的与栅极结构相邻的部分上；以及接触插塞，设置在第一外延层上。接触插塞包括：下部；中部，设置在下部上，其中，中部具有沿着竖直方向从其底部到顶部增大的宽度；以及上部，设置在中部上。

公开(公告)号：CN112018108A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010221091.7

申请日：2020-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东燦 ,  金茶惠

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种集成电路器件，包括：多个鳍型有源区，从衬底的顶表面突出并且沿第一水平方向延伸；至少一个半导体层，每个半导体层包括顺序堆叠在多个鳍型有源区中的至少一个鳍型有源区上的下半导体层和上半导体层；以及多个栅电极，在多个鳍型有源区上沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸，其中下半导体层包括与上半导体层的材料相同的材料，并且其中在下半导体层和上半导体层之间具有半导体界面。