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公开(公告)号：CN112018108A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010221091.7
申请日：2020-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种集成电路器件，包括：多个鳍型有源区，从衬底的顶表面突出并且沿第一水平方向延伸；至少一个半导体层，每个半导体层包括顺序堆叠在多个鳍型有源区中的至少一个鳍型有源区上的下半导体层和上半导体层；以及多个栅电极，在多个鳍型有源区上沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸，其中下半导体层包括与上半导体层的材料相同的材料，并且其中在下半导体层和上半导体层之间具有半导体界面。
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