公开(公告)号：CN116471843A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310082481.4

申请日：2023-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申秀斌 ,  金相元 ,  金知勇 ,  宋炫周 ,  任霞彬

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体器件包括：具有栅电极和层间绝缘层的堆叠结构，该堆叠结构具有单元区域和台阶区域，并且栅电极在第一方向上延伸以在台阶区域中具有台阶形状；在单元区域中穿过堆叠结构的沟道结构；穿过堆叠结构并在第一方向上延伸的分离结构；以及在台阶区域中在分离结构之间并穿过堆叠结构的支撑结构。台阶区域包括第一区域和第二区域，第一区域在第一方向上比第二区域更靠近单元区域，支撑结构包括分别穿过第一区域和第二区域中的堆叠结构的第一支撑结构和第二支撑结构，第一支撑结构的最大宽度大于第二支撑结构的最大宽度。

公开(公告)号：CN115117089A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111150853.X

申请日：2021-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知勇 ,  李呈焕

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11524 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了贯穿过孔结构以及包括该贯穿过孔结构的半导体装置。该贯穿过孔结构包括贯穿过孔和盖图案。贯穿过孔包括在竖直方向上延伸的金属图案以及在金属图案的侧壁和下表面上的阻挡图案。盖图案接触贯穿过孔的上表面。盖图案的边缘部分的最下表面不高于盖图案的中心部分的最下表面。

公开(公告)号：CN109326607A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810865994.1

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李呈焕 ,  金知勇 ,  尹石重 ,  李知泫

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种三维半导体器件包括：栅电极，其包括焊盘区域，所述焊盘区域沿第一方向依次降低第一阶梯部分并且沿垂直于所述第一方向的第二方向依次降低第二阶梯部分，所述第二阶梯部分低于所述第一阶梯部分，其中，在依次降低所述第二阶梯部分的焊盘区域之中的单个焊盘区域沿所述第二方向的长度小于所述焊盘区域中的剩余焊盘区域沿所述第二方向的长度。

公开(公告)号：CN109212612A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810737217.9

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴世棕 ,  崔贤弟 ,  金济国 ,  金知勇 ,  金泰贞 ,  裵俊汉 ,  吴亨锡 ,  李钟杏

IPC: G01V3/00

CPC classification number: G01N27/048 ,  G01M3/181 ,  H01R13/6683 ,  G01V3/00

Abstract: 一种电子设备包括：连接器，其连接到所述电子设备外部的电缆并包括多个引脚；第一水检测电路，其连接到所述多个引脚中的至少一个第一引脚并且通过基于所述至少一个第一引脚的电阻检测所述连接器中是否存在水来生成第一检测结果；以及第二水检测电路，其连接到所述多个引脚中的至少一个第二引脚，在所述第一检测结果指示水的所述存在时进入水检测模式，并且基于所述至少一个第二引脚的电阻检测所述连接器中是否存在水。

公开(公告)号：CN107958869A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710804253.8

申请日：2017-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正吉 ,  金知勇 ,  李呈焕 ,  边大锡 ,  林炫锡

IPC: H01L21/764 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157

CPC classification number: H01L27/1157 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/764

Abstract: 提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。

公开(公告)号：CN106409831A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610133440.3

申请日：2016-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉 ,  金知勇 ,  边大锡

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L2027/11859 ,  H01L2027/11861

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：多个栅电极，分别在多个水平处，在基本垂直于基板的顶表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，在基板上在垂直方向上延伸并穿过栅电极；和多个第一接触插塞，在垂直方向上延伸并分别接触栅电极。至少一个第二接触插塞形成在该多个栅电极当中的第一栅电极上，并在垂直方向上延伸。