公开(公告)号：CN119495667A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410424121.2

申请日：2024-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵明道 ,  高永璨 ,  金炳镐 ,  李用军 ,  李政昊

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种示例半导体封装包括：第一再分布层；桥接芯片，附接到第一再分布层的顶表面；模制层，在第一再分布层上，并且包围桥接芯片；第二再分布层，设置在模制层上；导电柱，竖直地延伸穿过模制层，并且将第一再分布层和第二再分布层连接；以及第一半导体芯片，安装在第二再分布层上。第一再分布层包括焊盘层、以及设置在焊盘层上的互连层。焊盘层包括第一绝缘层、以及在第一绝缘层中的焊盘。焊盘的顶表面暴露于第一绝缘层的顶表面的外部，并且焊盘的底表面暴露于第一绝缘层的底表面的外部。

公开(公告)号：CN111146159B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201911074804.5

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱伶 ,  金炳镐 ,  金兑昱 ,  辛成真 ,  崔在薰 ,  洪尚石

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件。该半导体封装件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层的连接结构。半导体芯片设置在连接结构的第一表面上并且具有连接到重新分布层的连接垫。包封剂设置在连接结构的第一表面上并且覆盖半导体芯片。支撑图案设置在包封剂的上表面的一部分上。散热结合材料具有在与半导体芯片叠置的区域中嵌在包封剂中的部分，并且散热结合材料延伸至包封剂的上表面以覆盖支撑图案。散热元件通过散热结合材料结合到包封剂的上表面。

公开(公告)号：CN117637667A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310645288.7

申请日：2023-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庆瑞恩 ,  金炳镐 ,  金永培 ,  金弘源 ,  李硕远 ,  李在彦 ,  金多禧

IPC: H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件可以包括：下再分布层，所述下再分布层包括下布线和下通路；嵌入区域，所述嵌入区域位于所述下再分布层上；芯层，所述芯层位于所述下再分布层上并且包括芯通路；以及底凸块结构，所述底凸块结构包括底凸块焊盘和底凸块通路，所述底凸块焊盘位于所述下再分布层的下表面上，所述底凸块通路连接所述下布线和所述底凸块焊盘，在俯视图中，所述底凸块焊盘可以与所述底凸块通路、所述下通路和所述芯通路交叠，并且在所述俯视图中，所述底凸块通路可以与所述下通路和所述芯通路中的至少一者间隔开。

公开(公告)号：CN110875299B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201910226894.9

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱伶 ,  李斗焕 ,  金多禧 ,  崔在薰 ,  金炳镐

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括位于第二表面上的第一重新分布层和位于与第一重新分布层的高度不同的高度上的至少一个第二重新分布层；半导体芯片，位于连接构件的第一表面上；钝化层，位于连接构件的第二表面上并且包括开口；UBM层，通过开口连接到第一重新分布层；以及电连接结构，位于UBM层上。钝化层和UBM层之间的界面具有第一凹凸表面，钝化层和第一重新分布层之间的界面具有第二凹凸表面，第二凹凸表面连接到所第一凹凸表面，并且第二凹凸表面的表面粗糙度大于第二重新分布层的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN110875299A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910226894.9

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱伶 ,  李斗焕 ,  金多禧 ,  崔在薰 ,  金炳镐

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括位于第二表面上的第一重新分布层和位于与第一重新分布层的高度不同的高度上的至少一个第二重新分布层；半导体芯片，位于连接构件的第一表面上；钝化层，位于连接构件的第二表面上并且包括开口；UBM层，通过开口连接到第一重新分布层；以及电连接结构，位于UBM层上。钝化层和UBM层之间的界面具有第一凹凸表面，钝化层和第一重新分布层之间的界面具有第二凹凸表面，第二凹凸表面连接到所第一凹凸表面，并且第二凹凸表面的表面粗糙度大于第二重新分布层的表面粗糙度。