公开(公告)号：CN119495667A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410424121.2

申请日：2024-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵明道 ,  高永璨 ,  金炳镐 ,  李用军 ,  李政昊

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种示例半导体封装包括：第一再分布层；桥接芯片，附接到第一再分布层的顶表面；模制层，在第一再分布层上，并且包围桥接芯片；第二再分布层，设置在模制层上；导电柱，竖直地延伸穿过模制层，并且将第一再分布层和第二再分布层连接；以及第一半导体芯片，安装在第二再分布层上。第一再分布层包括焊盘层、以及设置在焊盘层上的互连层。焊盘层包括第一绝缘层、以及在第一绝缘层中的焊盘。焊盘的顶表面暴露于第一绝缘层的顶表面的外部，并且焊盘的底表面暴露于第一绝缘层的底表面的外部。