公开(公告)号：CN113862635A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110737506.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 金润洙 ,  金在员 ,  金海龙 ,  李珍镐 ,  翼白鸟

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/762

Abstract: 根据本发明构思的一些实施例的形成材料层的方法可以包括沉积循环，沉积循环包括：在衬底上提供吸附抑制剂；吹扫过量的吸附抑制剂；在衬底上提供金属前体；吹扫过量的金属前体；以及供应反应剂以在衬底上形成材料层。吸附抑制剂可以包括15族元素或16族元素。

公开(公告)号：CN112993022A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011144164.3

申请日：2020-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  朴正敏 ,  金容诚 ,  李周浩

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种包括铪氧化物的膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法。包括铪氧化物的该膜结构包括：铪氧化物层，其包括结晶成四方晶相的铪氧化物；以及第一应力源层和第二应力源层，其彼此隔开且其间具有铪氧化物层并且向铪氧化物层施加压缩应力。

公开(公告)号：CN106065466B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201610258537.7

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: C23C16/30

Abstract: 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6‑b‑c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。

公开(公告)号：CN106169502A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN106169502B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属‑二维材料‑半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN112825259A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011237357.3

申请日：2020-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  哈佛大学的校长及成员们

Inventor： 李珉贤 ,  H.张 ,  D.哈姆 ,  C.刘 ,  H.欣顿 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/54 ,  G11C13/04 ,  G06N3/04 ,  G06N3/067 ,  G06N3/08

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：电阻切换层；在电阻切换层上的栅极；在电阻切换层与栅极之间的栅极氧化层；以及在电阻切换层上并彼此隔开的源极和漏极。电阻切换层的电阻值基于照射在电阻切换层上的光的照度而改变，并保持为改变后的电阻值。

公开(公告)号：CN105742358A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510765524.4

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  金海龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。

公开(公告)号：CN115528172A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210384361.5

申请日：2022-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  金圣铉

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/13 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种集成电路(IC)装置及其制造方法。所述IC装置包括：下电极，其包括第一金属；电介质膜，其位于下电极上；以及导电界面层，其位于下电极与电介质膜之间。导电界面层包括包含至少一种金属元素的金属氧化物膜。包括第二金属的上电极与下电极相对，且导电界面层和电介质膜位于上电极与下电极之间。为了制造IC装置，在衬底上，包括金属的电极与绝缘图案相邻形成。在电极的表面上选择性地形成包括包含至少一个金属元素的金属氧化物膜的导电界面层。电介质膜被形成为与导电界面层和绝缘图案接触。

公开(公告)号：CN113764417A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110262666.4

申请日：2021-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  金海龙 ,  金润洙 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  郑圭镐

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：导电柱，在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

公开(公告)号：CN105742358B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201510765524.4

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  金海龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。