公开(公告)号：CN114864627A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210025567.9

申请日：2022-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李吉镐 ,  高宽协 ,  金容才 ,  裵虔熙

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08

Abstract: 磁存储设备包括在衬底的第一区域上具有第一模制绝缘膜的衬底和在该衬底上的第一结构。第一结构包括下电极、下电极上的磁隧道结(MTJ)结构、以及MTJ结构上的上电极。设置封盖膜，该封盖膜在第一模制绝缘膜和第一结构的侧壁上延伸。在第一结构和封盖膜上设置第一蚀刻停止层。设置第二模制绝缘膜，该第二模制绝缘膜至少部分地填充封盖膜和第一蚀刻停止层之间的空间。设置第一金属结构，该第一金属结构延伸穿过第一蚀刻停止层的一部分和第二模制绝缘膜的一部分，并且电耦合到MTJ结构。

公开(公告)号：CN110718568A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910618600.7

申请日：2019-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李吉镐 ,  高宽协 ,  金容才 ,  宋胤宗

IPC: H01L27/22

Abstract: 一种磁存储器件包括：包括单元区和外围电路区的基板；第一层间绝缘层，覆盖基板的单元区和外围电路区；在第一层间绝缘层中的互连线；外围导线和外围导电接触，在外围电路区上的第一层间绝缘层上，外围导电接触在外围导线与互连线中的相应一条互连线之间；底电极接触，在单元区上的第一层间绝缘层上并且连接到互连线中的相应一条互连线；以及在底电极接触上的数据存储图案，其中外围导线处于底电极接触的顶表面与底电极接触的底表面之间的高度处。