公开(公告)号：CN102468425A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110349182.X

申请日：2011-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑填 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  金英铉 ,  崔锡宪 ,  林佑昶

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。

公开(公告)号：CN107452871B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201710351707.0

申请日：2017-05-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 金佑填 ,  金起园 ,  S.P.S.帕金 ,  M.G.萨曼特 ,  郑在佑

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴‑铁‑铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。

公开(公告)号：CN109750263A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811287314.9

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  申喜珠 ,  吴世忠

IPC: C23C14/34 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了溅射装置和制造磁存储器件的方法。溅射装置包括：处理室；平台，位于处理室中并且被配置为在自身上加载基板；以及，第一溅射枪，位于处理室中的基板上方。第一溅射枪与基板水平地间隔开。第一溅射枪包括第一靶，第一靶包括第一端和第二端，第一端比第二端在水平投影平面上更靠近基板。第一靶的第一表面相对于基板的顶表面倾斜。第一靶的第二端相对于基板的顶表面的高度与第一靶的第一端相对于基板的顶表面的高度不同。

公开(公告)号：CN103579496B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310308784.X

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞真 ,  金佑填 ,  权亨峻 ,  朴淳五 ,  朴钟撤 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。

公开(公告)号：CN102683580B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210072710.6

申请日：2012-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  吴世忠 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/303 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。

公开(公告)号：CN102683580A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210072710.6

申请日：2012-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  吴世忠 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/303 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。