-
公开(公告)号：CN1269187C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310102435.9
申请日：2003-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01J1/00 , H01J37/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/06358 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明公开了一种利用二次电子的电子投影光刻装置。该装置包括：二次电子发射器，它与基板固定器间隔预定距离，在该二次电子发射器的朝向基板固定器的表面上形成已构图的掩模；一次电子发射器，它在二次电子发射器背对基板固定器的方向上与二次电子发射器间隔预定距离，并向二次电子发射器发射一次电子；第二电源，它在基板固定器和二次电子发射器之间施加预定电压；第一电源，它在二次电子发射器和一次电子发射器之间施加预定电压；和磁场发生器，它控制由二次电子发射器发射的二次电子的路径。
-
公开(公告)号：CN1412847A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02132147.7
申请日：2002-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法。该单晶体管型磁随机存取存储器包括衬底、第一和第二掺杂区、栅极介电层、磁隧穿结、字线、位线和绝缘层。第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成且彼此隔离。栅极介电层形成在半导体衬底的第一和第二掺杂区之间的部分上。磁隧穿结形成在栅极介电层上。字线形成在MTJ上，并在与第二掺杂区相同方向的第一方向上延伸。位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区。绝缘层覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开。第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。
-
公开(公告)号：CN114242140A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111006312.X
申请日：2021-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置、其编程方法和具有其的存储设备。所述对非易失性存储装置进行编程的方法包括：在编程循环中执行单脉冲编程操作；确定在编程循环中条件是否被满足；以及当条件被满足时，在下一个编程循环中执行多脉冲编程操作。单脉冲编程操作包括施加第一编程脉冲和施加多个验证脉冲，多脉冲编程操作包括施加第二编程脉冲、施加第三编程脉冲和施加多个验证脉冲，并且第二编程脉冲和第三编程脉冲的电平均比第一编程脉冲的电平低。
-
公开(公告)号：CN102859905B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201180021422.1
申请日：2011-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种移动通信系统中用于提供切换支持信息的装置和方法。一种移动通信系统中移动站（MS）确定相邻基站（BS）之后BS向MS提供测量报告触发执行所需的信息的方法包括，在所述MS是激活模式的MS的情况下，根据特定的相邻BS向该激活模式的MS独立地提供触发时间（TTT），并且在所述MS是空闲模式的MS的情况下，根据特定的相邻BS向该空闲模式MS独立地提供再选时间段（Treselection）。
-
公开(公告)号：CN1208833C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02132147.7
申请日：2002-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法。该单晶体管型磁随机存取存储器包括衬底、第一和第二掺杂区、栅极介电层、磁隧穿结、字线、位线和绝缘层。第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成且彼此隔离。栅极介电层形成在半导体衬底的第一和第二掺杂区之间的部分上。磁隧穿结形成在栅极介电层上。字线形成在MTJ上，并在与第二掺杂区相同方向的第一方向上延伸。位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区。绝缘层覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开。第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1497356A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102435.9
申请日：2003-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/06358 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明公开了一种利用二次电子的电子投影光刻装置。该装置包括：二次电子发射器，它与基板固定器间隔预定距离，在该二次电子发射器的朝向基板固定器的表面上形成已构图的掩模；一次电子发射器，它在二次电子发射器背对基板固定器的方向上与二次电子发射器间隔预定距离，并向二次电子发射器发射一次电子；第二电源，它在基板固定器和二次电子发射器之间施加预定电压；第一电源，它在二次电子发射器和一次电子发射器之间施加预定电压；和磁场发生器，它控制由二次电子发射器发射的二次电子的路径。
-
公开(公告)号：CN1469200A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03131171.7
申请日：2003-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01J37/3175 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明公开了一种使用图案化发射体的电子光刻设备。该电子光刻设备包括将图案化金属薄层用作掩模来发射电子的热电发射体。当发射体受热时，电子自发射体的覆盖有图案化介电层的部分发射出，而不从发射体的覆盖有图案化金属薄层的部分发射出来，从而将发射体的图案投影到衬底上。为了防止所发射的电子束发散，电子束通过磁体、DC磁场发生器或偏转器来控制。因此，可以容易地在衬底上获得所需图案的一比一或x比一的投影。
-
公开(公告)号：CN117882361A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058410.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L61/5007 , H04L67/75 , H04L101/668 , H04L101/695
Abstract: 根据实施例，公开了一种显示设备、电子设备及其操作方法。公开的显示设备可包括：显示器；用于存储一个或多个指令的存储器；以及用于执行存储在存储器中的一个或多个指令的处理器，其中，处理器执行一个或多个指令以：接收针对与电子装置的连接的请求；通过参考显示装置的子网掩码来识别显示装置的互联网协议(IP)地址中的主机地址；根据预定义方案将识别的主机地址转换为包括一个或多个字符的字符串；在显示器上显示转换的字符串；基于根据显示器上显示的字符串的对显示装置的IP地址的表示从电子装置接收连接请求，以及与已经发送了针对连接的请求的电子装置建立连接。
-
-
公开(公告)号：CN106851751B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201611027789.5
申请日：2011-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种移动通信系统中用于提供切换支持信息的装置和方法。一种移动通信系统中移动站(MS)确定相邻基站(BS)之后BS向MS提供测量报告触发执行所需的信息的方法包括，在所述MS是激活模式的MS的情况下，根据特定的相邻BS向该激活模式的MS独立地提供触发时间(TTT)，并且在所述MS是空闲模式的MS的情况下，根据特定的相邻BS向该空闲模式MS独立地提供再选时间段(Treselection)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.026 seconds)
