公开(公告)号：CN112309894A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010310465.2

申请日：2020-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄泳豪 ,  朴成龙 ,  徐恩锡 ,  曹亨硕 ,  许硕

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种晶片加工装置。所述装置包括：加热板，其中穿过加热板形成有真空端口；多个温度传感器；加热设备，被配置为对加热板进行加热；第一电源和第二电源；温度控制器，用于基于温度传感器生成的测量值，生成第一反馈温度控制信号和第二反馈温度控制信号，以控制电源的电力输出；电子压力调节器，被配置为向多个真空端口提供用于固定晶片的真空压力；以及晶片卡紧控制器，被配置为控制电子压力调节器，并基于第一反馈温度控制信号和第二反馈温度控制信号生成用于控制电子压力调节器的反馈压力控制信号。

公开(公告)号：CN110634764A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201811588105.8

申请日：2018-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄泳豪 ,  李忠勋

IPC: H01L21/67 ,  G05D23/20

Abstract: 一种用于制造半导体的加热装置，该加热装置包括：设置在板上的多个加热器；多个温度传感器，被配置为感测板的温度并输出温度值；电源，被配置为向多个加热器供应功率；多个开关，被设置在电源和多个加热器之间；以及控制单元，被配置为接通多个开关中的所有开关以将板加热到参考温度，并且被配置为断开多个开关中的至少一个开关以保持参考温度。

公开(公告)号：CN117253786A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310717086.9

申请日：2023-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄泳豪 ,  林相铉 ,  林宰弘 ,  许硕

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/027

Abstract: 一种半导体元件的制造方法包括：在晶圆上提供光致抗蚀剂；以第一流速向烘烤室供应包含氧的第一气体，使得光致抗蚀剂的氧溶解度变得饱和，并且以第二流速向烘烤室供应不含氧的第二气体；以及在烘烤室中对晶圆执行烘烤工艺。

公开(公告)号：CN109659251B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810971332.2

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄泳豪 ,  苏相允 ,  李大熙 ,  丁大声 ,  金东煜 ,  宋钟民

IPC: H01L21/67 ,  G01D21/02

Abstract: 一种用于检测半导体设备中的工艺环境的传感器模块，其包括：传感器主体，其包括第一板和第二板；以及在传感器主体中的传感器电路单元，其中传感器电路单元包括在第一板与第二板之间的静电传感器。

公开(公告)号：CN109659251A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201810971332.2

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄泳豪 ,  苏相允 ,  李大熙 ,  丁大声 ,  金东煜 ,  宋钟民

IPC: H01L21/67 ,  G01D21/02

Abstract: 一种用于检测半导体设备中的工艺环境的传感器模块，其包括：传感器主体，其包括第一板和第二板；以及在传感器主体中的传感器电路单元，其中传感器电路单元包括在第一板与第二板之间的静电传感器。