公开(公告)号：CN109253407A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810768877.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东浩 ,  崔繁在

IPC: F21K9/232 ,  F21K9/238 ,  F21V5/02 ,  F21V19/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  F21Y107/50 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明提供一种灯丝型发光二极管(LED)光源和LED灯，所述灯丝型LED光源包括多个LED模块、耦接器和公共连接部。所述LED模块位于多棱柱结构中并发出具有不同色温的白光或不同波长的光。每一个LED模块在所述多棱柱结构的相应侧表面处为条形并且包括第一连接电极和第二连接电极。耦接器耦接所述LED模块以维持所述多棱柱结构。公共连接部在所述多棱柱结构的一端处并共同连接到所述多个LED模块中的每一个的所述第二连接电极。

公开(公告)号：CN105144083A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021451.1

申请日：2014-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈厦 ,  朱载豪 ,  金东浩

IPC: G06F9/28 ,  G06F9/38 ,  G06F9/44

Abstract: 一种根据存储器状态来动态管理后台进程以便高效使用用户设备中的存储器的方法和设备，所述用户设备支持多任务操作系统。所述方法包括：确定用于调整后台进程的数目的参考信息；基于参考信息识别存储器状态；以及对应于存储器状态，调整后台进程的数目。

公开(公告)号：CN1175790A

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN97111265.7

申请日：1997-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南基钦 ,  李炳官 ,  金东浩 ,  安雄宽

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67781

Abstract: 本发明涉及半导体晶片未测试电阻之前,对晶片进行热处理的装置。该热处理装置包括:加热室、等待室、及盒体台面;加热盘用于装晶片,并运送晶片进入加热室;运送加热盘的加热盘运送器在等待室和加热室之间移动;晶片装料机构是将盒体中的晶片装入加热盘;晶片卸料机构则是将加热盘中的晶体取出,并装入盒体。

公开(公告)号：CN116581042A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202211672593.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南成旻 ,  郑在昇 ,  金东浩 ,  梁承薰

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了间距游走检查方法和制造半导体装置的方法。间距游走检查方法包括：获得通过多重图案化技术(MPT)形成的线和间隔(L/S)图案的扫描电子显微镜(SEM)图像，其中L/S图案包括交替地布置的多条线和间隔；检测SEM图像中的L/S图案的主间距；基于MPT将主间距的曲线图划分为分量间距的曲线图；对每个分量间距的曲线图执行快速傅里叶变换(FFT)；将每个分量间距的曲线图的FFT的相位曲线图和强度曲线图彼此相乘，并且获得经补偿的FFT相位曲线图；以及通过获得经补偿的FFT相位曲线图的相位峰值之间的差来计算L/S图案的间距游走。

公开(公告)号：CN105009307B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201480010929.0

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南求 ,  金东浩 ,  柳建旭

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法，根据本发明的一方面的该方法包括步骤：在基层上形成具有多个开口的掩模；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯，以填充其上的多个开口；部分地去除掩模，以暴露出多个纳米芯的侧部；在部分地去除掩模之后对多个纳米芯进行热处理；在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构；以及对多个纳米发光结构的上端进行平坦化，以暴露出纳米芯的上表面。

公开(公告)号：CN1221128A

公开(公告)日：1999-06-30

申请号：CN98120040.0

申请日：1998-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安雄宽 ,  金东浩

IPC: G03C5/29

CPC classification number: H01L21/67028 ,  G03F7/30 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供制造半导体器件的显影系统,包括:容器,用于装显影剂,上侧有一供晶片通过的开孔,下侧有一排放口;晶片传送器,可将晶片图形表面的背面朝下吸附,将晶片装入或取出容器;显影剂提供元件,在容器中提供显影剂,将晶片图形表面浸在显影剂中;一漂洗剂提供元件,向容器中提供漂洗剂,向晶片图形表面上喷射漂洗剂;清洗剂提供元件,向容器中提供清洗剂,除去保留在容器中的显影剂和漂洗剂;气体提供元件,向容器中提供气体,通过高压气体除去保留在容器中的清洗剂。