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公开(公告)号：CN110828570A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910609149.2
申请日：2019-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：鳍型有源区，沿第一方向延伸、从衬底突出；多个纳米片堆叠结构；阻挡膜，覆盖所述多个纳米片堆叠结构之中与鳍型有源区的两侧相邻的一对纳米片堆叠结构的每个的上表面的一部分和一个侧壁；栅电极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅电极包括围绕所述多个纳米片的实际栅电极和设置在阻挡膜上的虚设栅电极；以及栅极电介质层，在实际栅电极与所述多个纳米片之间以及虚设栅电极与阻挡膜之间。
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公开(公告)号：CN109904156A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811444764.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：位于衬底上的第一沟道图案和第二沟道图案、分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案接触的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案、以及分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案交叠的第一栅极电极和第二栅极电极。所述第一栅极电极可以包括位于所述第一沟道图案的所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一段。所述第一段可以包括朝向所述第一源极/漏极图案突出的第一凸出部分。所述第二栅极电极可以包括位于所述第二沟道图案的所述第三半导体图案与所述第四半导体图案之间的第二段。所述第二段可以包括朝向所述第二段的中心凹陷的凹入部分。
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公开(公告)号：CN118866950A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410457452.6
申请日：2024-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/732 , H01L27/082
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；阱区，所述阱区在所述衬底中具有第二导电类型；杂质注入区，所述杂质注入区在所述阱区中具有所述第一导电类型；元件分离图案，所述元件分离图案位于所述衬底中；第一鳍状图案，所述第一鳍状图案在所述杂质注入区中由所述元件分离图案限定；第二鳍状图案，所述第二鳍状图案在所述阱区中由所述元件分离图案限定；以及第三鳍状图案，所述第三鳍状图案在所述衬底中由所述元件分离图案限定，其中，所述第一鳍状图案是单个鳍状图案，并且所述杂质注入区的整个下边界与所述阱区接触。
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公开(公告)号：CN118693093A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410329494.1
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出并且在第一水平方向上延伸；多个纳米片，设置在鳍型有源区上并且在垂直方向上彼此分开；栅极线，在第二水平方向上延伸并围绕鳍型有源区上的所述多个纳米片，并且包括在所述多个纳米片之间的各个次栅极部分和在所述多个纳米片的最上面的层上方的主栅极部分；源极/漏极区，设置在鳍型有源区上，与栅极线相邻，并且连接到所述多个纳米片；以及多个内间隔物，插置在栅极线和源极/漏极区之间。面对次栅极部分的第一内间隔物的形状不同于面对主栅极部分的第二内间隔物的形状。
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公开(公告)号：CN112534829B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980052047.3
申请日：2019-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的实施例，一种电子装置可包括：壳体；印刷电路板，被设置在壳体内，其中，印刷电路板包括第一表面、背离第一表面的第二表面、以及穿透第一表面和第二表面的第一通孔和第二通孔；第一麦克风，被设置在第二表面上，以便当从第一表面上方被观察时至少部分地与第一通孔重叠；第二麦克风，被设置在第二表面上，以便当从第一表面上方被观察时至少部分地与第二通孔重叠；支撑构件，被设置在第一表面上，其中，支撑构件包括面向第一表面的第三表面、背离第三表面的第四表面、当从第一表面上方被观察时至少部分地与第一通孔重叠的第三通孔、以及当从第一表面上方被观察时至少部分地与第二通孔重叠的第四通孔；第一传声构件，被设置在第四表面上，以便至少部分地与第三通孔重叠；以及第二传声构件，被设置在第四表面上，以便至少部分地与第四通孔重叠。可包括各种其他实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117334697A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310686266.5
申请日：2023-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，具有下图案和在第一方向上与下图案间隔开的多个片状图案；第一栅极结构和第二栅极结构，设置在下图案上，其中，第一栅极结构和第二栅极结构布置在第二方向上，并且在第二方向上彼此间隔开；源/漏凹陷，限定在第一栅极结构和第二栅极结构之间；以及源/漏图案，填充源/漏凹陷，其中，源/漏图案包括与下图案间隔开的堆叠层错。
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公开(公告)号：CN116529689A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180079923.9
申请日：2021-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16
Abstract: 提供了一种电子装置。所述电子装置可包括：壳体；显示器，被设置在所述壳体内部并沿第一方向被设置，使得所述显示器的屏幕暴露于所述壳体的外部；第一印刷电路板(PCB)，被设置在所述壳体内部；柔性印刷电路板(FPCB)，被设置在所述壳体内部并且包括邻近显示器的第一部分、从第一部分延伸的第三部分、以及从第三部分延伸且与第一PCB电连接的第二部分；第一引导构件，被设置在所述壳体内部；以及第二引导构件，被设置在所述壳体内部，其中，第三部分的至少一部分被设置为在第一引导构件与第二引导构件之间穿过，并且第三部分的所述至少一部分可通过第一引导构件被提供沿与第一方向相反的第二方向的力。
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公开(公告)号：CN112103342A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010223071.3
申请日：2020-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路包括：鳍式有源区，从衬底突出；多个半导体图案，位于所述鳍式有源区的上表面上；栅电极，围绕所述多个半导体图案并且包括主栅极部分和子栅极部分，所述主栅极部分位于所述多个半导体图案中的最上面的半导体图案上，所述子栅极部分分别位于所述鳍式有源区与所述多个半导体图案中的最下方的半导体图案之间以及所述多个半导体图案之间；间隔物结构，设置在所述主栅极部分的侧壁上；以及源极/漏极区，位于所述栅电极的一侧。所述源极/漏极区连接到所述多个半导体图案并且接触所述间隔物结构的底表面。所述最上面的半导体图案的顶部部分具有第一宽度。所述最上面的半导体图案的底部部分具有小于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN111952370A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010159988.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上，所述有源图案在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；栅极结构，所述栅极结构位于所述有源图案上，所述栅极结构在平行于衬底的上表面并且与所述第一方向相交的第二方向上延伸；沟道，所述沟道在垂直于衬底的上表面的第三方向上彼此间隔开，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构；源极/漏极层，所述源极/漏极层位于所述有源图案的与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极/漏极层接触所述沟道；以及牺牲图案，所述牺牲图案位于所述有源图案的所述部分在所述第二方向上的相对边缘中的每一边缘的上表面上，所述牺牲图案接触所述源极/漏极层的侧壁的下部并且包含硅锗。
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公开(公告)号：CN118335747A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311204658.X
申请日：2023-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/762 , H01L21/82
Abstract: 半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一有源图案，在第一有源区上；第二有源图案，在第二有源区上；器件隔离层，填充第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽，器件隔离层具有凹形顶表面；第一栅电极，在第一有源区中；第二栅电极，在第二有源区中；栅切割图案，设置在第一栅电极与第二栅电极之间并将第一栅电极与第二栅电极分离；以及绝缘图案，在栅切割图案与器件隔离层的凹形顶表面之间。
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