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公开(公告)号：CN1897309A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105883.8
申请日：2006-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/133
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13318 , G02F1/133308 , G02F2001/13332 , G02F2201/58 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，使用该TFT的TFT基板，该TFT基板的制造方法和液晶显示器(LCD)。所述TFT包括源极区、漏极区和具有开口的栅电极。栅电极的开口是为了当TFT被用作光传感器时，提高TFT的光感测能力，因为光入射到形成开口的区域中。包括具有开口的栅极的TFT可以被用在使用这样的基板的平显示器或LCD的基板上。以上TFT可以感测从显示器外部入射的光来根据外部照明调整屏幕的亮度。
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公开(公告)号：CN1646726A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808847.9
申请日：2003-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , C23C16/30 , G02F2001/136222 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法、利用该绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法，更具体地涉及一种可显著地改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘的方法，从而解决了寄生电容问题以获得高开口率结构，并且当通过CVD法或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，通过使用硅烷气体可以降低工序时间。本发明还涉及一种利用该工序的薄膜晶体管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1484778A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN01821646.3
申请日：2001-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/133357 , G02F2001/136236 , G02F2202/42 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。
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公开(公告)号：CN101509977B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910000153.5
申请日：2009-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/24 , G01T1/2928
Abstract: 本发明提供了一种X射线探测器，包括：具有多个光电探测像素的面板，光电探测像素响应于X射线的探测产生电信号；栅极驱动器，向多个光电探测像素提供栅极信号，其中，光电探测像素响应于栅极信号输出电信号；读出集成电路，读出由光电探测像素输出的响应于栅极信号的电信号；主板，包括控制器，该控制器接收来自读出集成电路的电信号并将电信号转换为图像信号；连接至面板和主板上的薄膜，该薄膜包含将读出集成电路电连接到面板和主板的信号线，其中，读出集成电路安装在薄膜上；以及屏蔽层，覆盖薄膜并包含有导电材料，其中，该屏蔽层防止外部施加的电磁信号穿透薄膜。
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公开(公告)号：CN101509977A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910000153.5
申请日：2009-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/24 , G01T1/2928
Abstract: 本发明提供了一种X射线探测器，包括：具有多个光电探测像素的面板，光电探测像素响应于X射线的探测产生电信号；栅极驱动器，向多个光电探测像素提供栅极信号，其中，光电探测像素响应于栅极信号输出电信号；读出集成电路，读出由光电探测像素输出的响应于栅极信号的电信号；主板，包括控制器，该控制器接收来自读出集成电路的电信号并将电信号转换为图像信号；连接至面板和主板上的薄膜，该薄膜包含将读出集成电路电连接到面板和主板的信号线，其中，读出集成电路安装在薄膜上；以及屏蔽层，覆盖薄膜并包含有导电材料，其中，该屏蔽层防止外部施加的电磁信号穿透薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517729C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610008848.4
申请日：2001-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/133357 , G02F2001/136236 , G02F2202/42 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a-Si:C:O或a-Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a-Si:C:O或a-Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。
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公开(公告)号：CN100495181C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN01821646.3
申请日：2001-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L21/336 , H01L29/45 , H01L29/49
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/133357 , G02F2001/136236 , G02F2202/42 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a-Si:C:O或a-Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a-Si:C:O或a-Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。
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公开(公告)号：CN101393266A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810160827.3
申请日：2008-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01T1/24
CPC classification number: G01T1/24 , H04N5/32 , H04N5/3597 , H04N5/374
Abstract: 精确地检测X－射线的装置和方法使用了光电二极管基板，其中向光电二极管施加第一反向电压，以根据入射到光电二极管上的X－射线产生光电探测电压。在响应当前帧中施加于光电二极管的X－射线输出图像信号之后，向光电二极管施加正向偏置，从而在下一帧中可以更加精确的检测X－射线。
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公开(公告)号：CN101325207A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810109963.X
申请日：2008-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/522 , G01T1/20 , G01T1/29
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/12
Abstract: 在用于X射线探测器的薄膜晶体管(“TFT”)阵列衬底和具有该TFT阵列衬底的X射线探测器中，所述TFT阵列衬底包括栅极布线、栅绝缘层、有源层、数据布线、光电二极管、有机绝缘层和偏置布线。栅极布线形成在绝缘衬底上，并且包括栅极线和栅电极。栅绝缘层覆盖栅极布线。有源层形成在栅绝缘层上。数据布线形成在栅绝缘层上，并且包括数据线、源电极和漏电极。光电二极管包括下部和上部电极以及光电导层。有机绝缘层覆盖数据布线和光电二极管。偏置布线形成在有机绝缘层上。因此，提高了孔径比和可靠性。
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公开(公告)号：CN100411193C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN02804810.5
申请日：2002-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L21/76802 , H01L21/76804 , H01L23/53295 , H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底上形成栅极布线；接着，在形成一栅极绝缘膜后，在其上顺序形成一半导体层和一欧姆接触层；其次，形成数据布线；再沉积一钝化层和一有机绝缘膜并对其进行构图，以形成分别用于暴露漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔，其中，所述接触孔周围的有机绝缘膜形成得比其它部分中的有机绝缘膜薄；然后，通过灰磨工艺去除接触孔周围的有机绝缘膜，以暴露接触孔中的钝化层的边界线，从而消除钻蚀，之后，形成分别连接至漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的一像素电极、一辅助栅极衬垫和一辅助数据衬垫。
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