公开(公告)号：CN108257887A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711462980.7

申请日：2017-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  吴祥奎 ,  吴星珉 ,  郑光钰

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L22/14

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在测试晶片的单元区域中形成晶体管；在单元区域中的第一测试单元上形成第一测试图案，第一测试图案电连接到晶体管；以及使用电子束扫描第一测试图案。在单元区域中形成晶体管包括图案化测试晶片的上部以形成有源图案、在有源图案上形成源极/漏极区域、形成交叉有源图案延伸的栅电极、形成联接到源极/漏极区域的有源接触、以及形成联接到栅电极的栅极接触。

公开(公告)号：CN108228968A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711284528.6

申请日：2017-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  申赞煜 ,  郑光钰 ,  姜权七

IPC: G06F17/50

Abstract: 本申请提供了一种集成电路，所述集成电路包括多个电力轨道对和电路链。多个电力轨道对中的每一对包括多个高电力轨道中的一个以及多个低电力轨道中的一个，高电力轨道被构造为提供第一供电电压，低电力轨道被构造为提供低于第一供电电压的第二供电电压。电路链包括级联连接的多个单元电路，使得前一单元电路的输出被提供为下一单元电路的输入。多个单元电路分布式地连接到多个电力轨道对。

公开(公告)号：CN1694358B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200510068440.1

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  郑光钰 ,  金颍焕 ,  李奉炫

IPC: H03K3/356 ,  H03K3/012

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/0963

Abstract: 公开了多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器、包括MTCMOS触发器的电路、和形成MTCMOS触发器的方法。所述MTCMOS触发器在休眠模式期间切断泄漏电流路径以保持输出数据信号。所述MTCMOS触发器通常还使用数据反馈单元来保持输出数据信号。

公开(公告)号：CN1694356A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510068440.1

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  郑光钰 ,  金颍焕 ,  李奉炫

IPC: H03K3/356 ,  H03K3/012

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/0963

Abstract: 公开了多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器、包括MTCMOS触发器的电路、和形成MTCMOS触发器的方法。所述MTCMOS触发器在休眠模式期间切断泄漏电流路径以保持输出数据信号。所述MTCMOS触发器通常还使用数据反馈单元来保持输出数据信号。