公开(公告)号：CN108257887A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711462980.7

申请日：2017-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  吴祥奎 ,  吴星珉 ,  郑光钰

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L22/14

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在测试晶片的单元区域中形成晶体管；在单元区域中的第一测试单元上形成第一测试图案，第一测试图案电连接到晶体管；以及使用电子束扫描第一测试图案。在单元区域中形成晶体管包括图案化测试晶片的上部以形成有源图案、在有源图案上形成源极/漏极区域、形成交叉有源图案延伸的栅电极、形成联接到源极/漏极区域的有源接触、以及形成联接到栅电极的栅极接触。

公开(公告)号：CN107436965A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710377434.7

申请日：2017-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴星珉 ,  姜钟九 ,  郑光钰

IPC: G06F17/50

Abstract: 提供了一种设计集成电路的计算机实现的方法，所述方法包括：接收第一数据，第一数据包括针对集成电路中的通孔的多个电阻值，其中，基于连接到通孔的导线的宽度和在导线与相邻的导线之间的间隔中的至少一种来限定所述多个电阻值中的每个；接收第二数据，所述第二数据包括集成电路的布图的物理特性；通过使用处理器基于第一数据和第二数据从所述多个电阻值提取基于布图的通孔电阻。