公开(公告)号：CN1694358B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200510068440.1

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  郑光钰 ,  金颍焕 ,  李奉炫

IPC: H03K3/356 ,  H03K3/012

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/0963

Abstract: 公开了多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器、包括MTCMOS触发器的电路、和形成MTCMOS触发器的方法。所述MTCMOS触发器在休眠模式期间切断泄漏电流路径以保持输出数据信号。所述MTCMOS触发器通常还使用数据反馈单元来保持输出数据信号。

公开(公告)号：CN1694356A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510068440.1

申请日：2005-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元孝植 ,  郑光钰 ,  金颍焕 ,  李奉炫

IPC: H03K3/356 ,  H03K3/012

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/0963

Abstract: 公开了多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器、包括MTCMOS触发器的电路、和形成MTCMOS触发器的方法。所述MTCMOS触发器在休眠模式期间切断泄漏电流路径以保持输出数据信号。所述MTCMOS触发器通常还使用数据反馈单元来保持输出数据信号。