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公开(公告)号：CN1949391B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610092684.8
申请日：2006-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储设备，其具有低漏电流和高可靠性，例如长保持时间和短更新时间。所述装置包括开关装置和电容器。开关装置的源极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的一端，而电容器的一个电极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的另一端。这里，所述金属绝缘体转换膜电阻器根据施加到其两端的电压在绝缘体和导体之间转换。
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公开(公告)号：CN100502037C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510124729.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/685
Abstract: 提供了通过所施加的电压改变沟道物理性质的晶体管及其制造和操作方法。该晶体管包括在衬底上制备为线形状的第一导电层，依次堆叠在第一导电层上的相变层和第二导电层，在第二导电层上形成并分开预定空间的第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元，分别在第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元上形成的第三导电层和第四导电层，连接到第三导电层的字线，连接到第四导电层的位线，以及连接到字线的电压降低单元。
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公开(公告)号：CN100477229C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510084791.1
申请日：2005-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L21/8247 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7926 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 本发明公开一种多位非易失性存储器件、操作该器件的方法以及制造多位非易失性存储器件的方法。形成在半导体衬底上的多位非易失性存储器件的单位单元包括：垂直于半导体衬底的上表面设置的多个沟道；垂直于半导体衬底的上表面在沟道相对侧设置的多个存储节点；围绕沟道及存储节点的上部分和存储节点的侧表面的控制栅极；以及形成在沟道和存储节点之间、沟道和控制栅极之间、以及存储节点和控制栅极之间的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101192647A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610163636.3
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L21/31691 , H01L29/47 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置。所述非易失性存储器装置包括底电极、布置在所述底电极上的包括无定形合金金属氧化物的氧化物层和布置在所述氧化物层上的二极管结构体。
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公开(公告)号：CN101026177A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610136107.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1949391A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610092684.8
申请日：2006-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储设备，其具有低漏电流和高可靠性，例如长保持时间和短更新时间。所述装置包括开关装置和电容器。开关装置的源极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的一端，而电容器的一个电极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的另一端。这里，所述金属绝缘体转换膜电阻器根据施加到其两端的电压在绝缘体和导体之间转换。
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公开(公告)号：CN1832198A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610019859.2
申请日：2006-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78681 , H01L49/003
Abstract: 本发明提供了一种使用物理改性层的晶体管，一种操作该晶体管的方法，和一种制造该晶体管的方法。该晶体管包括在衬底上形成的绝缘层、第一和第二导电层图案、物理改性层、高介电层、和栅电极。第一和第二导电层图案在所述绝缘层上彼此分隔开。所述物理改性层形成在第一和第二导电层图案之间的绝缘层部分上。所述高介电层堆叠在物理改性层上，且所述栅电极形成在所述高介电层上。
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公开(公告)号：CN101075629B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610165950.5
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L27/112 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种使用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置和一种所述非易失性存储装置的制造方法，其特征在于：所述非易失性存储装置具有开关装置和连接到开关装置的存储节点，其中存储节点包括下电极、在下电极上形成的缺氧金属氧化物层、在缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层、和在数据存储层上形成的上电极。
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公开(公告)号：CN101030623B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN100463181C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510076258.0
申请日：2005-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。
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