公开(公告)号：CN1761049A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510098150.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN1664686A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510067727.2

申请日：2005-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  李在敬 ,  郑敞午 ,  赵范锡

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 用于大的平板显示器的多层连线通过在存在前体气体的情况下在基板上淀积钼以形成钼层而形成，所述前体气体包含氧、氮和碳中的至少一种。在所述钼层上淀积铝层。可在所述铝层上形成另一金属层。所述钼层具有面心立方(FCC)晶格结构并具有(111)择优取向。

公开(公告)号：CN1610859A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN02826607.2

申请日：2002-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。栅极绝缘层覆盖该栅极布线。在该栅极绝缘层上形成半导体图案。在该栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在该数据布线上形成钝化层。在该钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线和数据布线包括三层，即粘合层、含银层、以及钝化层。粘合层由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Ta合金中的一种组成，含Ag层由Ag或Ag合金组成，而钝化层由IZO、Mo、Mo合金、Cr、及Cr合金中的一种组成。

公开(公告)号：CN1913146B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610112109.X

申请日：2006-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  裵良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管(TFT)面板，以及一种制造TFT面板的方法。该薄膜导体包括：粘附层，含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于粘附层上，以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。

公开(公告)号：CN1917202B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610109260.8

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种该布线的制造方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种该TFT基板的制造方法。该布线结构包括形成在下部结构上的包含氧化银的底层、和形成在该底层上的包含银或银合金的银导电层。

公开(公告)号：CN100420025C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN02826910.1

申请日：2002-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在甲 ,  姜奉周 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。该栅极绝缘层覆盖栅极布线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在数据布线上形成钝化层。在钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线及数据布线由含有Ag和包括选自Zn、In、Sn、及Cr中至少一种的添加剂的银合金组成。

公开(公告)号：CN1897270A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610099012.X

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  裵良浩

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种用于制造布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种用于制造TFT基板的方法。布线结构包括形成在基板上并且包括氮化铜的阻隔层，以及形成在阻隔层上并且包括铜或铜合金的铜导电层。

公开(公告)号：CN1897269A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610098778.6

申请日：2006-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种布线结构、一种形成布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种TFT基板的制造方法。布线结构包括设置在下部结构上的阻挡层、设置在阻挡层上的包括铜或铜合金的铜导电层、设置在铜导电层上的包括氮化铜的中间层、以及设置在中间层上的覆盖层。

公开(公告)号：CN1832182A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610056776.0

申请日：2006-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵良浩 ,  郑敞午 ,  吴旼锡 ,  李制勋 ,  赵范锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种TFT基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启TFT的开电流(“Ion”)并增大了用于关闭TFT的闭电流(“Ioff”)。

公开(公告)号：CN1670909A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055765.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  李永旭 ,  崔熙焕

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。