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公开(公告)号：CN1838321B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200610071461.3
申请日：2006-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , G11C11/4193 , G11C16/02 , G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 本发明涉及具有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备。本发明公开了一种包括具有增强的位线和/或字线驱动能力的相变随机存取存储器(PRAM)设备，其在编程和读取操作期间支持高位线和/或字线回转速率。该相变随机存取存储器(PRAM)设备包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。
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公开(公告)号：CN101106174A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710104174.2
申请日：2007-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0078
Abstract: 本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。
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公开(公告)号：CN101051526A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710092124.7
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C8/10 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/72
Abstract: 公开了一种相变存储器装置。其包括：存储单元阵列，包括关于相变材料编程的多个存储单元；以及写入驱动器电路，被配置为向选定存储单元提供置位电流与复位电流。该写入驱动器电路包含被配置为提供置位电流的置位电流驱动器以及被配置为提供复位电流的复位电流驱动器。
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公开(公告)号：CN1734671A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510077929.5
申请日：2005-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419 , G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
Abstract: 本发明提供了一种相变存储器设备，其包含多个相变存储器单元和被配置为输出多个连续复位脉冲的复位脉冲生成电路。每个连续复位脉冲被输出到多条复位线中的相应一条。多个写驱动器电路连接到相应的相变存储器单元以及复位脉冲生成电路中的一条相应复位线。本发明还提供了一种使用连续复位控制信号编程相变存储器设备的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116580738A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310049804.X
申请日：2023-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一些实施例中，一种非易失性存储器装置包括：第一半导体层，其包括设置在第一单元区上的第一存储器单元阵列、设置在第二单元区上的第二存储器单元阵列、以及第一金属焊盘。非易失性存储器装置还包括：第二半导体层，其包括设置在第一区上并且耦接至第一存储器单元阵列的第一外围电路、设置在第二区上并且耦接至第二存储器单元阵列的第二外围电路、以及第二金属焊盘。第一区包括在竖直方向上与第一单元区重叠的第一外围电路区和在竖直方向上不与第一单元区重叠的第二外围电路区，并且第二区在竖直方向上与第二单元区重叠。
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公开(公告)号：CN1811988B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610005029.4
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4197 , G11C11/409 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
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公开(公告)号：CN1885432B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610094100.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C2213/72
Abstract: 相变存储器器件具有字线驱动器布局，以允许减小所述器件核心区域的尺寸。一方面，相变存储器器件包括多个共享字线的存储器单元块，和驱动所述字线的多个字线驱动器。每个字线驱动器包括用于预充电字线的预充电器件和用于放电所述字线的放电器件，和其中，所述预充电器件和放电器件被交替地设置在所述多个存储器单元块之间。
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公开(公告)号：CN100474448C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410046553.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144
Abstract: 一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。
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