公开(公告)号：CN114068812A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110837411.6

申请日：2021-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵基熙 ,  姜相列 ,  姜埈求 ,  金泰均 ,  朴志云 ,  安相赫 ,  李珍秀 ,  李炫锡 ,  蔡弘植

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。

公开(公告)号：CN112786595A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202010801948.2

申请日：2020-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵基熙 ,  姜俊求 ,  李炫锡 ,  安相赫

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括电容器，电容器具有底电极和顶电极、在底电极与顶电极之间的介电层以及在顶电极与介电层之间的界面层，界面层包括金属氧化物和在界面层的晶界处的附加成分。

公开(公告)号：CN112447719A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010488922.7

申请日：2020-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炫锡 ,  姜埈求 ,  赵基熙 ,  安相赫

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括下电极结构的第一部分，下电极结构的第一部分位于基底上。半导体器件包括第一支撑图案，第一支撑图案与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触。半导体器件包括下电极结构的第二部分，下电极结构的第二部分位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上。半导体器件包括上电极，上电极位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上。此外，半导体器件包括介电层，介电层位于上电极与下电极结构的第二部分之间。

公开(公告)号：CN112071840A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010406133.4

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  李炫锡 ,  赵基熙 ,  安相赫

IPC: H01L27/108

Abstract: 本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括电容器结构，其中电容器结构包括：在基板之上的底电极；在底电极的侧壁上的支撑物；在底电极和支撑物上的电介质层；以及在电介质层上并覆盖底电极的顶电极。底电极包括：基底电极层，在基板之上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；以及导电覆盖层，包括铌氮化物，在基底电极层的侧壁与电介质层之间以及在基底电极层的顶表面与电介质层之间。

公开(公告)号：CN111755603A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201911307841.6

申请日：2019-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵基熙 ,  姜埈求 ,  姜相列 ,  李炫锡

IPC: H01L49/02 ,  H01L23/64

Abstract: 提供了包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括电容器，电容器包括：下电极；上电极，在下电极上；以及介电层，在下电极和上电极之间延伸。下电极可以包括接触介电层的掺杂区域，下电极的掺杂区域被构造为使电容器的电容增大。