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公开(公告)号：CN1811988A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610005029.4
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4197 , G11C11/409 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
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公开(公告)号：CN1747058A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510089639.2
申请日：2005-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 提供了编程相变存储器件以及用于编程相变存储器件的驱动电路，其根据在相变存储器件编程期间对相变材料的电阻测量控制提供给相变存储器件的相变材料的电流量。这种控制可以基于对电压或电流的检测。提供给相变材料的电流量可以被增加直到所测量的电压电平相对于参考电压值变化并且如果所测量的电压电平相对于该参考电压值已变化时维持电流恒定。所测量的电压电平相对于参考电压的变化可以是所测量的电压电平下降到该参考电压值之下。
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公开(公告)号：CN1574093A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046560.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C7/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C29/02 , G11C29/028 , G11C29/50012 , G11C2013/0066 , G11C2013/0092
Abstract: 本发明描述了一种对相变存储器件，比如硫族化合物存储器(PRAM)，进行编程的方法。本发明涉及将PRAM元件从复位状态编程到设置状态或从设置状态编程到设置状态的方法。本发明提供了一种新颖且非显而易见的PRAM器件和方法，其中通过在编程的过程中监测存储元件的状态控制设置脉冲持续时间，比如通过将位线的电压与参考电压进行比较或将单元电阻与设置状态单元电阻进行比较。响应存储元件的所检测的状态控制设置脉冲的持续时间。本发明的方法的结果是PRAM编程错误，比如由恒定的持续时间设置脉冲引起的错误，被极大地减少，以及编程持续时间和功耗减小。
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公开(公告)号：CN111089534B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910648736.2
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了集成电路装置和高带宽存储器装置。集成电路装置包括：多个翘曲检测传感器，分别位于多个不同位置处并串联电连接。多个翘曲检测传感器中的每个被配置为生成具有基于电阻的时间段的时钟信号，并且被配置为响应于时钟信号通过执行计数操作来生成数字数据，所述电阻基于对应位置处的压力而变化。
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公开(公告)号：CN111089534A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910648736.2
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了集成电路装置和高带宽存储器装置。集成电路装置包括：多个翘曲检测传感器，分别位于多个不同位置处并串联电连接。多个翘曲检测传感器中的每个被配置为生成具有基于电阻的时间段的时钟信号，并且被配置为响应于时钟信号通过执行计数操作来生成数字数据，所述电阻基于对应位置处的压力而变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1811988B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610005029.4
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4197 , G11C11/409 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
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公开(公告)号：CN101004948B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610168825.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C17/165
Abstract: 在一个方案中，一种非易失性存储器包括：相变存储单元阵列，包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元；写驱动器，向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据；以及OTP控制器，选择性地使写驱动器失效，其中，OTP控制器包括：OTP模式控制器，响应于命令信号，输出OTP模式信号；以及OTP保护控制器，响应于OTP模式信号，选择性地使写驱动器失效，从而根据在OTP保护控制器的OTP控制器存储器中预先存储的OTP控制信号，选择性地使对所访问的伪OTP相变存储单元的编程失效和生效。
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公开(公告)号：CN1959847B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610144770.9
申请日：2006-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 一种相变随机存取存储器设备包括含有多个相变存储器单元的存储器阵列，每个相变存储器单元都包括相变材料和二极管，多个将位线连接到相应数据线的列选择晶体管，所述位线被连接到相变存储器单元，以及将数据线连接到读出放大器单元的控制节点。在写操作模式时，通过提升第一电压获得的控制电压被分别施施加到控制节点以及列选择晶体管的栅极，地电压被施施加到所选择的一个相变存储器单元的字线。在待机模式时，连接到存储器阵列的相变存储器单元的字线和位线被维持在同一电压。
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公开(公告)号：CN1921004B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200610121875.2
申请日：2006-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性存储器件，其包括：公用线；第一写入二极管、读取二极管和第二写入二极管，并联连接到该公用线上。该磁性存储器件还包括：磁性隧道结结构，连接到该读取二极管上；第一和第二写入导体，设置在该磁性隧道结结构的两侧，并分别连接到该第一和第二写入二极管上；和第一写入线、读取线和第二写入线，其分别连接到该第一写入导体、该磁性隧道结结构和该第二写入导体上。
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公开(公告)号：CN100474448C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410046553.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144
Abstract: 一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。
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