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公开(公告)号：CN1779859A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108634.X
申请日：2005-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一方面，提供了一种可在编程模式和读出模式中操作的非易失性存储器设备。该存储器设备包括具有多个非易失性存储器单元、多条字线、和多条位线的存储器单元阵列。该存储器设备还包括用于输出从存储器阵列的位线读出的数据的内部数据输出线、和可操作性地连接在存储器单元阵列的位线和内部数据输出线之间的页面缓存器。该页面缓存器包括选择性地连接到位线的检测节点、具有选择性地连接到检测节点的锁存节点的锁存电路，在编程模式和读出模式中设置锁存节点的逻辑电压的锁存输入路径、和从锁存输入路径分离并且根据锁存节点的逻辑电压设置内部数据输出线的逻辑电压的锁存输出路径。
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公开(公告)号：CN102982844B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210551887.4
申请日：2008-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3404
Abstract: 操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。
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公开(公告)号：CN101458954B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810191188.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418
Abstract: 本发明提供了一种用于N位数据非易失性存储系统的多位数据存储系统和读取操作。该方法包括：参照在多个存储单元中与所选存储单元相关的相邻存储单元的数据状态，确定从所选存储单元中获得的读取数据是否需要补偿；以及如果该读取数据需要补偿，则用补偿读取数据代替该读取数据。
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公开(公告)号：CN101430933B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200810177840.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明的快闪存储器件被配置用来对每单位单元中多个比特编程，其中依据被选中进行编程的比特的最在前的比特的编程是否被跳过来设置被选中比特的编程条件。结果，即使在中间比特的编程被跳过时，也可以准确地进行编程和读取操作。
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公开(公告)号：CN102194793A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110041963.2
申请日：2011-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/11519 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11578 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种三维半导体器件，包括在基板上二维布置的堆叠结构、包括第一互连且设置在堆叠结构上的第一互连层以及包括第二互连且设置在第一互连层上的第二互连层。每个堆叠结构具有包括多个堆叠下部字线的下部区和包括设置在堆叠下部字线上的多个堆叠上部字线的上部区。每个第一互连连接到一条下部字线，每个第二互连连接到一条上部字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148059A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110034906.1
申请日：2011-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/14 , G11C16/26
Abstract: 提供了非易失性存储器件、其操作方法以及包括该非易失性存储器件的存储系统。在所述操作方法中，可以被浮置连接到位线的第一串的地选择线。可以向连接到所述位线的第二串的地选择线施加擦除禁止电压。可以向所述第一串和第二串施加擦除操作电压。
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公开(公告)号：CN101325089A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810125981.7
申请日：2008-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/14
Abstract: 一种非易失性存储器件的读取方法，包括：从存储指示初始阈电压的信息的阈电压信息单元中读取索引单元的初始阈电压值；从所述索引单元确定当前阈电压值；以及将所述初始阈电压值与所述当前阈电压值进行比较以计算所述索引单元的偏移阈电压电平。利用偏移阈电压电平改变读取电压，以使用改变的读取电压读取用户数据。
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公开(公告)号：CN101174462A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710159635.6
申请日：2007-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 一种用于编程包括至少一个标识单元和多个多位存储单元的多层非易失性存储器的方法。每一个存储单元存储最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)的数据。使用LSB数据编程单元，使得编程过的存储单元具有大于VR1的阈值电压。修改阈值电压使得对于第三或第四值具有大于VR2的阈值电压。使用MSB数据编程存储单元，使得阈值电压对于第一值小于VR1，对于第二值大于VR1且小于VR2，对于第三值大于VR2且小于VR3，对于第四值大于VR3。VR1小于VR2，VR2小于VR3。编程标识单元以显示是否已经编程MSB数据。
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公开(公告)号：CN106297878A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610576999.3
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种擦除包括多个存储单元串的非易失性存储器件的方法，多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串。该方法包括：对第一存储单元串中包括的第一存储单元和第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作；在执行第一擦除操作之后对第一存储单元执行第一擦除验证操作；在执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；在第二擦除验证操作之后对第一存储单元和第二存储单元执行第二擦除操作；以及选择性地再次执行第一擦除验证操作和第二擦除验证操作中的至少一个，其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。
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公开(公告)号：CN102385919B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110248599.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3445 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/16 , H01L29/792
Abstract: 一种操作非易失性存储器件的方法包括：对与多个串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，所述与多个SSL相关联的存储单元构成存储块；以及在验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作之后，验证对与第二SSL相关联的第二存储单元的擦除操作。
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