公开(公告)号：CN115732404A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211050477.1

申请日：2022-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  罗相喆 ,  朴基澈 ,  郑圣烨 ,  曹永宇

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一绝缘结构，在衬底上，并且包括第一蚀刻停止层和在第一蚀刻停止层上的第一层间绝缘层；第二绝缘结构，在第一绝缘结构上，并且包括第二蚀刻停止层和在第二蚀刻停止层上的第二层间绝缘层；导线，穿透第二绝缘结构，并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸；以及多个接触部，穿透第一绝缘结构，并连接到导线。导线可以包括：突出部，在第二绝缘结构下方延伸，并穿透第一层间绝缘层以与第一蚀刻停止层接触。

公开(公告)号：CN119028940A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410627088.3

申请日：2024-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  都桢湖 ,  李敬雨 ,  金菊喜 ,  郭玟灿

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：第一电力线，在衬底上沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；背面电力结构，在衬底的下表面上；标准单元，各自包括有源图案、与有源图案相交的栅图案、以及接触部；电力抽头单元，在至少一些标准单元之间，并且各自包括竖直电力过孔；以及第二电力线，将至少一些第一电力线彼此电连接。第二电力线的第一部分可以延伸到电力抽头单元上，并且第二电力线的与第一部分不同的第二部分可以延伸到标准单元上。电力抽头单元可以以锯齿形图案在第二方向上以标准单元的每三行或更多行布置。

公开(公告)号：CN118629993A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410234876.6

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  李敬雨

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/367

Abstract: 一种半导体装置，包括：有源图案，其在衬底的第一表面上并在第一方向上延伸；场绝缘膜，其在第一表面和有源图案的侧表面上；栅极结构，其在有源图案和场绝缘膜上并在与第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区，其在栅极结构的侧表面上并接触有源图案；以及贯通接触件，其在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸并延伸通过场绝缘膜。该装置还包括在衬底中的接触贯通接触件的埋置图案、在衬底的第二表面上并电连接到埋置图案的背面布线结构、以及在衬底中的与埋置图案相邻的散热结构。散热结构填充从第二表面延伸至衬底中的沟槽。

公开(公告)号：CN118538734A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311832178.8

申请日：2023-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣佑 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  罗相喆 ,  李东翼

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；第一鳍型图案，在第一方向上从衬底的第一表面突出，并且在第二方向上延伸；第一源/漏图案，在第一鳍型图案上；第一源/漏接触部，在第一源/漏图案上；接触连接过孔，在第一方向上延伸，并且电连接到第一源/漏接触部；掩埋导电图案，在衬底中，电连接到接触连接过孔，并且具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，掩埋导电图案的第一表面面对第一源/漏接触部；以及第一掩埋绝缘衬层，沿掩埋导电图案的侧壁和沿掩埋导电图案的第一表面延伸。

公开(公告)号：CN118198002A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311521763.6

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李东翼 ,  金庆旼 ,  金菊喜 ,  金汎镇 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  蔡命均 ,  河承锡

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有第一表面和面对第一表面的第二表面，并且在平面图中包括主芯片区域和围绕主芯片区域的密封区域；前布线层，其在半导体衬底的第一表面上，并且包括前布线结构；后布线层，其在半导体衬底的第二表面上，并且包括电力布线结构；前环结构，其在密封区域的前布线层中；以及后环结构，其在密封区域的后布线层中。

公开(公告)号：CN117525133A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310710772.3

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  李东翼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一衬底；有源图案，在第一衬底上延伸；栅电极，在有源图案上延伸；源/漏区，在有源图案上；第一层间绝缘层，在源/漏区上；牺牲层，在第一衬底上；下布线层，在牺牲层的下表面上；通孔沟槽，通过在竖直方向上穿过第一层间绝缘层和牺牲层延伸到下布线层；通孔，在通孔沟槽内部，并连接到下布线层；凹部，在牺牲层内部，并在第二水平方向上从通孔沟槽的侧壁突出；以及通孔绝缘层，沿通孔沟槽的侧壁延伸，并延伸到凹部中。