公开(公告)号：CN107039246A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610862591.2

申请日：2016-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 萧养康 ,  郑圣烨

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/308

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在基板上形成目标层，在目标层上形成均匀间隔的多个参考图案；在参考图案的侧表面上形成多个间隔物；在间隔物之间留有的空间中形成多个填充图案；通过在多个填充图案的一部分上执行第一表面处理，形成表面改性的填充图案；通过在多个参考图案的一部分上执行第二表面处理，形成表面改性的参考图案；以及去除多个填充图案和多个参考图案并在目标层上留下表面改性的填充图案和表面改性的参考图案。

公开(公告)号：CN115732404A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211050477.1

申请日：2022-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  罗相喆 ,  朴基澈 ,  郑圣烨 ,  曹永宇

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一绝缘结构，在衬底上，并且包括第一蚀刻停止层和在第一蚀刻停止层上的第一层间绝缘层；第二绝缘结构，在第一绝缘结构上，并且包括第二蚀刻停止层和在第二蚀刻停止层上的第二层间绝缘层；导线，穿透第二绝缘结构，并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸；以及多个接触部，穿透第一绝缘结构，并连接到导线。导线可以包括：突出部，在第二绝缘结构下方延伸，并穿透第一层间绝缘层以与第一蚀刻停止层接触。

公开(公告)号：CN118335739A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311814855.3

申请日：2023-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳志秀 ,  都桢湖 ,  郑圣烨

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528

Abstract: 一种集成电路包括：多条第一电源轨，在第一水平方向上延伸，并且被配置为提供施加到其上的第一电源电压；多条第二电源轨，在第一水平方向上延伸，并且被配置为提供施加到其上的第二电源电压；以及电源线，在切换单元区域中并且在第一水平方向上延伸，该电源线被配置为提供施加到其上的全局电源电压，其中，多条第一电源轨和多条第二电源轨在垂直于第一水平方向的第二水平方向上交替地布置，其中，多条第一电源轨、多条第二电源轨和电源线在相同层上形成正面图案，并且其中，电源线设置在多条第二电源轨之中在第一水平方向上彼此相邻的两条第二电源轨之间。

公开(公告)号：CN115548015A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210610190.3

申请日：2022-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰铭 ,  李敬雨 ,  金娜延 ,  林圣勋 ,  郑圣烨

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构；所述下部结构上的第一层间电介质(ILD)；第一图案区，在所述第一ILD内在第一方向上延伸，所述第一图案区在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开，所述第一图案区中的每个第一图案区包括至少一个第一图案，并且所述至少一个第一图案在所述第一方向上的两端是凹陷的；以及第二图案区，在所述第一ILD内在所述第一方向上延伸，所述第二图案区在所述第二方向上彼此分隔开并且在所述第二方向上与所述第一图案区交替，所述第二图案区中的每个第二图案区包括至少一个第二图案。

公开(公告)号：CN114764260A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111652368.2

申请日：2021-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东秀 ,  郑圣烨 ,  朱映奂

IPC: G05F1/56

Abstract: 电源调制器包括多电平电压发生器，该多电平电压发生器被配置为生成具有不同电压电平的多个电源电压；开关阵列，包括分别对应于多个电源电压的多个开关，并通过激活多个开关中的一个的连接来输出多个电源电压中的一个；以及开关控制器，被配置为控制多个开关中的每一个的连接，以及响应于接收到将连接从第一开关切换到第二开关的电平控制信号，在断开第一开关和连接第二开关之间对应于要衰减的频率的时间段期间，激活与第一开关和第二开关区别的至少一个第三开关的连接。

公开(公告)号：CN107039246B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201610862591.2

申请日：2016-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 萧养康 ,  郑圣烨

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/308

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在基板上形成目标层，在目标层上形成均匀间隔的多个参考图案；在参考图案的侧表面上形成多个间隔物；在间隔物之间留有的空间中形成多个填充图案；通过在多个填充图案的一部分上执行第一表面处理，形成表面改性的填充图案；通过在多个参考图案的一部分上执行第二表面处理，形成表面改性的参考图案；以及去除多个填充图案和多个参考图案并在目标层上留下表面改性的填充图案和表面改性的参考图案。