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公开(公告)号：CN110163909B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201810148359.1
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提出了获得设备位姿的方法。该方法包括：获取惯性测量单元IMU数据；采用集束优化的方法，基于IMU数据来估计设备的基础位姿以及IMU参数；其中，采用以下操作中的任一项或任意多项的组合进行处理：采用设备的静止状态对设备的基础位姿进行约束；采用松耦合集束优化的方法对IMU参数进行优化；对IMU数据进行积分得到位姿变化，根据位姿变化和基础位姿得到设备的第二位姿，在基础位姿更新后，对第二位姿与更新的基础位姿之间的差异进行补偿；利用深度学习网络来预测设备的未来位姿；根据历史图像帧对应的设备的位姿和当前图像帧对应的设备的位姿，对历史图像帧进行变形得到当前图像帧。本公开还提出了对应设备和存储介质。
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公开(公告)号：CN117777203A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311253101.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，在式1A和1B中，X1为C或N；且X2为C或N；Y1为O、S、或Se；环CY1为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；*和*′各自表示与M1的结合位点；并且剩余取代基和变量如本文中所定义的。式1M1(L1)n1(L2)n2式1A#imgabs0#式1B#imgabs1#。
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公开(公告)号：CN117164638A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310646716.8
申请日：2023-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。由式1表示的有机金属化合物，其中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，且n1和n2各自独立地为1或2，其中X1‑X4各自独立地为C或N；Y1为O、S、Se、C(R5)(R6)、N(R7)、或Si(R8)(R9)；环CY2和环CY4各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；环CY3为5元杂环基团、与C5‑C30碳环基团稠合的杂环基团；＊和＊′各自表示与5元杂环基团M1、的结合位点或与C1‑C30杂环基团稠合的；且式1A和2B的剩余5元描述如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2
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公开(公告)号：CN110163909A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810148359.1
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提出了获得设备位姿的方法。该方法包括：获取惯性测量单元IMU数据；采用集束优化的方法，基于IMU数据来估计设备的基础位姿以及IMU参数；其中，采用以下操作中的任一项或任意多项的组合进行处理：采用设备的静止状态对设备的基础位姿进行约束；采用松耦合集束优化的方法对IMU参数进行优化；对IMU数据进行积分得到位姿变化，根据位姿变化和基础位姿得到设备的第二位姿，在基础位姿更新后，对第二位姿与更新的基础位姿之间的差异进行补偿；利用深度学习网络来预测设备的未来位姿；根据历史图像帧对应的设备的位姿和当前图像帧对应的设备的位姿，对历史图像帧进行变形得到当前图像帧。本公开还提出了对应设备和存储介质。
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公开(公告)号：CN110033481A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810024743.0
申请日：2018-01-10
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种对图像进行处理的方法和设备。所述方法包括：接收输入的图像；以及根据所述图像中的预定目标的位置、尺寸和类别来估计所述预定目标的深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119212430A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202410805437.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层和发射辅助层，所述发射辅助层布置在所述发射层和所述第一电极之间，所述发射层包括第一主体和第一掺杂剂，所述发射辅助层包括第二主体和第二掺杂剂，并且所述第二掺杂剂由式1表示，其中式1的详细描述如本文中所提供的。式1#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118265319A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311780095.9
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/11 , H10K50/165 , H10K85/30 , H10K50/13
Abstract: 公开有机发光器件和包括其的电子设备。所述有机发光器件包括第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层和经n‑掺杂的层，所述经n‑掺杂的层布置在所述第一电极和所述发射层之间，所述发射层包括至少一种有机金属化合物，并且所述至少一种有机金属化合物包括至少一个甲硅烷基或至少一个甲锗烷基。
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公开(公告)号：CN117700462A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310919315.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，在式1A和1B中，X1为C或N，X2为C或N，至少一个R2为被氟取代的C1‑C10烷基，b1为1‑6的整数，b2为1‑10的整数，*和*'各自表示与M1的结合位点，并且式1A和1B的其它取代基基团如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2式1A#imgabs0#式1B#imgabs1#
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公开(公告)号：CN116648080A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310152536.4
申请日：2023-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机发光器件和包括其的电子设备。所述有机发光器件包括：第一电极；第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，所述有机层包括发射层，其中所述有机层进一步包括布置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区域，所述空穴传输区域包括发射辅助层，所述发射层包括作为由式1表示的有机金属化合物的第一化合物，所述发射辅助层包括作为由式2表示的杂环化合物的第二化合物，其中，在式1和2中，Y2为C，环A2为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，并且R1‑R8、R13‑R20、R31‑R37、d2、X30和Z1如详述的说明书中所描述的。
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公开(公告)号：CN115820243A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211132142.4
申请日：2022-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开组合物、包括组合物的层、包括组合物的发光器件、和包括发光器件的电子设备。所述组合物包括由式1表示的第一化合物、和由式2表示的第二化合物，其中所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，其中式1和式2如说明书中所定义的。式1Ir(L11)n11(L12)n12(L13)n13式2Ir(L21)n21(L22)n22(L23)n23
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