公开(公告)号：CN101046462A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610168612.7

申请日：2006-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭祥 ,  柳圭泰 ,  沈储暎 ,  郑洹锡 ,  赵莲子

IPC: G01N27/414 ,  G06F17/00

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/27

Abstract: 本发明提供同时检测离子材料的大小和浓度的方法和设备。该方法包括：利用用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个测量其大小和浓度已知的至少三种离子材料的电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个在三维图中确定至少三个点，所述三维图包括来自至少三种离子材料的已知大小、浓度和所述测量的电压降值的大小、浓度和电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个将至少所述三个点近似为单个平面；利用所述至少两个传感器测量其大小和浓度未知的离子材料的电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个使用未知离子材料的电压降值确定在所述平面上存在的等势线；确定所述各等势线之间的交点。

公开(公告)号：CN1880976A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510077974.0

申请日：2005-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈储暎 ,  南宫智娜 ,  黄奎渊

IPC: G02B1/10 ,  G01N33/50

CPC classification number: G01N21/6428 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00385 ,  B01J2219/00432 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00576 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00675 ,  B01J2219/00677 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B01J2219/00731 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0819 ,  B82Y30/00 ,  G01N21/45 ,  G01N21/6452

Abstract: 本发明提供了在基底上具有构图薄层的微阵列基底。在该微阵列基底中，基底的反射率不同于薄层材料的反射率，并且所述构图薄层包含具有一定厚度的点样区和具有一定厚度的背景区，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的点样区发生相长干涉，从基底反射的照射激发光的第一反射光和从薄层反射的照射激发光的第二反射光在所述厚度的背景区发生相消干涉。