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公开(公告)号：CN118899299A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410511828.7
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 公开了半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装。半导体封装包括封装基板以及堆叠在封装基板上的第一芯片堆叠和第二芯片堆叠。第一芯片堆叠和第二芯片堆叠中的每个包括多个垂直堆叠的半导体芯片。每个半导体芯片包括多个第一垂直连接结构和多个第二垂直连接结构。第二芯片堆叠中的半导体芯片的第一垂直连接结构与第一芯片堆叠中的半导体芯片的第二垂直连接结构重叠并连接。
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公开(公告)号：CN111146207B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201911043745.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了三维半导体存储器件及其制造方法。所述三维半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，所述电极结构包括交替堆叠在所述衬底上的多个电极和多个介电层，并且在所述连接区域上具有阶梯结构；以及蚀刻停止图案，所述蚀刻停止图案覆盖所述电极结构的所述阶梯结构。当在俯视图中观察时，所述电极结构和所述蚀刻停止图案在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸。所述电极结构在平行于所述衬底的顶表面并且与所述第一方向相交的第二方向上具有第一宽度。所述蚀刻停止图案在所述第二方向上具有第二宽度。所述第二宽度小于所述第一宽度。
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公开(公告)号：CN117641926A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310876091.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/20
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置包括彼此连接的第一基底结构和第二基底结构。第二基底结构包括具有第一面和第二面的板层。栅电极层设置在板层的第一面上。沟道结构延伸穿过栅电极层。字线切割结构延伸穿过栅电极层并且彼此间隔开。过孔结构设置在板层的第二面上。过孔连接结构设置在过孔结构的顶面上。每个过孔结构的底面的宽度大于每个过孔结构的顶面的宽度。每个过孔连接结构的底面的宽度小于每个过孔连接结构的顶面的宽度。
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公开(公告)号：CN107134458B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201710110205.9
申请日：2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。一种半导体装置包括电极的第一堆叠件和第二堆叠件。此外，所述半导体装置还包括连接电极的第一堆叠件和第二堆叠件的第一连接线和第二连接线。在一些实施例中，第一连接线具有第一长度，第二连接线具有比第一连接线的第一长度长的第二长度。在一些实施例中，第一连接线使电极的第一堆叠件的内部部分连接到电极的第二堆叠件的内部部分。在一些实施例中，第二连接线使电极的第一堆叠件的外部部分连接到电极的第二堆叠件的外部部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112133701A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010465074.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11521
Abstract: 一种三维半导体存储器件可以包括：水平图案，设置在外围电路结构上并且彼此间隔开；存储器结构，分别设置在水平图案上，每个存储器结构包括存储单元的三维布置。穿透绝缘图案和分离结构可以使水平图案彼此隔离。贯通过孔可以延伸穿过穿透绝缘图案，以将外围电路结构的逻辑电路连接到存储器结构。
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公开(公告)号：CN111435663B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010029757.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件包括：栅电极，在与衬底上表面垂直的第一方向上彼此间隔开，并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸不同的长度。该器件还包括：第一沟道和第二沟道，穿透栅电极并在第一方向上延伸；水平部分，设置在栅电极的下部中，并且将第一沟道和第二沟道的下部彼此连接；以及源极线，设置在第二沟道的上部中并连接到第二沟道。栅电极包括存储器单元中包括的存储器单元电极、设置在存储器单元电极的下部中的第一接地选择电极、设置在存储器单元电极的上部中的第二接地选择电极、以及设置在存储器单元电极的上部中的串选择电极。
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公开(公告)号：CN118215291A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311716950.X
申请日：2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括半导体器件的数据存储系统。一种半导体器件包括与第二半导体结构重叠的第一半导体结构，第二半导体结构具有第一区域和第二区域并包括：板层；栅电极，在第一方向上彼此间隔开；沟道结构，穿过栅电极；栅极分隔区，在第二方向上延伸；第一和第二上隔离区，将上栅电极分成在相邻的栅极分隔区之间的第一、第二和第三子栅电极；以及接触插塞，在第一方向上延伸，第一和第二上隔离区中的每个具有在第三方向上延伸的区域，第一子栅电极具有第一焊盘区和第二焊盘区，该第一焊盘区在第四方向上具有第一宽度，该第二焊盘区在第四方向上具有比第一宽度窄的第二宽度，第一子栅电极连接到接触插塞中的一个。
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公开(公告)号：CN109087919B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810534936.0
申请日：2018-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。
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公开(公告)号：CN117812914A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310540532.3
申请日：2023-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统，所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底；外围电路结构，在第一基底上，外围电路结构包括在外围电路结构的上部中的第一接合垫；以及单元列阵结构，在外围电路结构上。单元阵列结构可以包括第二基底、置于外围电路结构与第二基底之间的堆叠件、包围堆叠件的第一绝缘层、穿透第一绝缘层的虚设插塞、在虚设插塞上的第二绝缘层、以及置于堆叠件与外围电路结构之间并连接到虚设插塞的第二接合垫。第一接合垫可以接触第二接合垫，并且虚设插塞可以电连接到第一接合垫和第二接合垫。虚设插塞的顶表面可以接触第二绝缘层。
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