公开(公告)号：CN118197371A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311684593.3

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容赫 ,  柳载德 ,  李耀翰

IPC: G11C8/08 ,  G11C7/12

Abstract: 一种存储器件，包括在位线和公共源极线之间的字线区域。字线区域包括多个堆叠。字线区域中的第一区域包括第一堆叠，具有第一电阻值；字线区域中的第二区域包括第二堆叠，具有第二电阻值，其中，第二电阻值与第一电阻值不同；第三区域包括第三堆叠，具有与第一电阻值不同的第三电阻值；并且处理器被配置为控制第一区域、第二区域和第三区域的恢复顺序。

公开(公告)号：CN116110463A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211381624.3

申请日：2022-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李耀翰 ,  柳载德 ,  赵志虎

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16

Abstract: 根据本发明构思的示例实施例，一种存储器系统的操作方法，该存储器系统包括存储器控制器和非易失性存储器件，非易失性存储器件在存储器控制器的控制下操作，并且非易失性存储器包括第一存储块和第二存储块，该方法包括：由存储器控制器确定第一存储块是否满足块重置条件；响应于第一存储块满足块重置条件，将接通电压施加到第一存储块中包括的虚设单元的字线；将预编程在第一存储块中的数据传输到第二存储块；擦除第一存储块；以及重新编程第一存储块的虚设单元。

公开(公告)号：CN116110462A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211283578.3

申请日：2022-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载德 ,  李耀翰 ,  崔容赫 ,  赵志虎

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34

Abstract: 一种具有多堆叠存储块的非易失性存储器件包括：存储单元阵列，被划分为沿着竖直方向设置的多个存储器堆叠；以及控制电路，被配置为执行多个存储器堆叠的沟道电压均衡操作，其中，堆叠间部分位于多个存储器堆叠之间，并且沟道孔穿过多个存储器堆叠中的每一个的字线。控制电路将多个存储器堆叠中的每一个的字线中的与堆叠间部分相邻的一些字线确定为堆叠间字线，并且根据堆叠间字线的沟道孔的尺寸不同地控制用于向堆叠间字线施加通过电压的设置时间点或用于向堆叠间字线施加地电压的恢复时间点。

公开(公告)号：CN114496041A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111239284.6

申请日：2021-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔容赫 ,  南尚完 ,  柳载德 ,  李耀翰

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/34

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括至少一个存储器块和控制电路。该至少一个存储器块包括多个单元串，每个单元串包括串选择晶体管、多个存储器单元和接地选择晶体管。该控制电路通过下列方式控制程序操作：在程序循环的位线设置时段期间，将多个单元串的通道预充电至第一电压；在程序循环的程序执行时段期间，将程序电压施加到多个单元串的选定字线；以及在将多个单元串的选定字线和未选定字线的电压恢复到小于接地电压的负电压之后，在程序循环的恢复时段期间，将选定字线和未选定字线的电压恢复到大于接地电压的第二电压。

公开(公告)号：CN112447236A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010516752.9

申请日：2020-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载德 ,  任琫淳 ,  崔容赫

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/26

Abstract: 一种存储设备、存储系统和/或操作该存储系统的方法，包括：使用处理电路测量在非易失性存储器(NVM)中包括的存储器组的擦除编程间隔(EPI)，所述EPI是从存储器组的擦除时间点到编程时间点的时间段；使用处理电路基于存储在存储器组的每个存储单元中的数据位数确定多个编程模式；使用处理电路基于测量的存储器组的EPI从多个编程模式中选择存储器组的编程模式；以及使用处理电路对应于选择的编程模式对存储器组执行编程操作。