公开(公告)号：CN118540937A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311571467.7

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 柳民泰 ,  崔秉德 ,  柳成原 ,  李元锡 ,  刘龙尚

IPC: H10B12/00 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4074

Abstract: 一种存储器装置包括：连接至第一位线的第一存储器单元和连接至第二位线的第二存储器单元，其中第一存储器单元可包括：第一存取晶体管，其包括连接至第一位线的一端；以及第一电容器，其包括连接至第一存取晶体管的另一端的一个电极和连接至第二位线的另一电极，并且第一存取晶体管可包括氧化物半导体。

公开(公告)号：CN116916650A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310032343.5

申请日：2023-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  柳民泰 ,  柳喜齐 ,  柳成原 ,  李镕珍 ,  李元锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置包括：外围电路结构，包括在半导体基底上的外围电路和在外围电路上的第一介电层；单元阵列结构，在半导体基底上；以及屏蔽层，在外围电路结构和单元阵列结构之间。单元阵列结构包括：位线；第一有源图案和第二有源图案，在位线上；第一字线，在第一有源图案上沿第二方向延伸；第二字线，在第二有源图案上沿第二方向延伸；数据存储图案，在第一有源图案和第二有源图案上；以及第二介电层，在半导体基底上。第一介电层的氢浓度大于第二介电层的氢浓度。

公开(公告)号：CN116825851A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310013153.9

申请日：2023-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成原 ,  金容锡 ,  柳民泰 ,  柳喜齐 ,  李镕珍 ,  李元锡 ,  赵珉熙

IPC: H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体存储器单元，所述半导体装置包括：基底；栅电极，在基底上；沟道层。在基底与栅电极之间；源电极，与沟道层的第一侧壁接触；以及漏电极，与沟道层的第二侧壁接触。第二侧壁与第一侧壁相对。沟道层包括与源电极和漏电极中的一者接触的第一沟道图案，以及在第一沟道图案与栅电极之间的第二沟道图案。第一沟道图案和第二沟道图案包括彼此不同的氧化物半导体材料。源电极的一部分和漏电极的一部分与栅电极的一部分叠置。

公开(公告)号：CN116744672A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202211569365.7

申请日：2022-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕珍 ,  金容锡 ,  柳民泰 ,  柳熙济 ,  柳成原 ,  李元锡 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底；导线，在衬底上方沿第一水平方向延伸；在导线上方的隔离绝缘层，包括在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并从隔离绝缘层的上表面延伸到下表面的沟道槽；沟道结构，设置在导线上方；栅电极，在沟道槽中沿第二水平方向延伸；电容器结构，在隔离绝缘层上方，以及接触结构，介于沟道结构与电容器结构之间，其中，沟道结构包括：非晶氧化物半导体层，设置在导线上方并在沟道槽中；以及上晶体氧化物半导体层，介于非晶氧化物半导体层与接触结构之间。

公开(公告)号：CN115206370A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210354837.0

申请日：2022-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李玟洙 ,  柳民泰 ,  李元锡 ,  赵珉熙

IPC: G11C11/4063 ,  G11C8/14 ,  G11C8/12 ,  G11C8/08

Abstract: 公开了一种存储器设备，包括：基于来自外部设备的行地址来生成字线(WL)控制信号的行解码器；包括连接到字线的存储器单元的第一子阵列；基于与奇数编号的字线相对应的奇数编号的WL控制信号来向字线中奇数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第一子字线驱动器(SWD)；以及基于与偶数编号的字线相对应的偶数编号的WL控制信号来向字线中偶数编号的字线提供选择电压或非选择电压的第二SWD。第一SWD响应于偶数编号的WL控制信号来向偶数编号的字线的非选择字线施加非选择电压，并且第二SWD响应于奇数编号的WL控制信号来向奇数编号的字线的非选择字线施加非选择电压。