公开(公告)号：CN1550827A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410031865.0

申请日：2004-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永勋 ,  金彰洙 ,  柳慧英

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/1345

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置及其制造方法，该装置包括一第一基板、制在第一基板上的一公共电极、以及一第二基板，其中的第二基板被布置成与第一基板相对置。一公共电压施加构件向公共电极施加一公共电压，并保持着第一基板与第二基板之间的一液晶盒间隙。公共电压施加构件包括一绝缘体以及制在该绝缘体上的一导体。

公开(公告)号：CN102376721A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110229094.6

申请日：2011-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  李禹根 ,  崔永柱 ,  郑卿在 ,  李进元 ,  崔升夏 ,  卞喜准 ,  尹弼相

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板能够减小由于氧化物半导体图案的退化引起的器件的退化。该薄膜晶体管阵列基板可以包括：绝缘基板，栅极电极形成在其上；栅极绝缘膜，形成在绝缘基板上；氧化物半导体图案，设置在栅极绝缘膜上；抗蚀刻图案，形成在氧化物半导体图案上；以及源极电极和漏极电极，形成在抗蚀刻图案上。氧化物半导体图案可以包括位于源极电极与漏极电极之间的边缘部分，该边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个不导电区域。

公开(公告)号：CN102347335A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110208497.2

申请日：2011-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在佑 ,  李东勋 ,  赵圣行 ,  李禹根 ,  柳慧英 ,  崔永柱

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明公开了一种显示基底及其制造方法。显示基底包括：栅极线，在底基底上沿第一方向延伸；数据线，位于底基底上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸；栅极绝缘层，位于栅极线上；薄膜晶体管；以及像素电极。薄膜晶体管包括电连接到栅极线的栅极、氧化物半导体图案以及位于氧化物半导体图案上并且彼此分隔开的源极和漏极。氧化物半导体图案包括包含氧化铟的第一半导体图案以及包含无铟氧化物的第二半导体图案。像素电极电连接到漏极。

公开(公告)号：CN100445850C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200410031865.0

申请日：2004-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永勋 ,  金彰洙 ,  柳慧英

IPC: G02F1/1345 ,  G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/1345

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置及其制造方法，该装置包括：包括第一显示区域和第一周边区域的第一基板；形成在第一显示区域的薄膜晶体管；与第一基板相对布置且包括第二显示区域和第二周边区域的第二基板；形成在第二显示区域的滤色片；形成在滤色片上的公共电极；形成在公共电极与滤色片之间的平坦化层；以及公共电压施加构件，其包括由与滤色片相同的材料形成的绝缘体以及由与公共电极相同的材料形成的导体，其中平坦化层形成在公共电压施加构件的绝缘体与导体之间。

公开(公告)号：CN1897285A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。