公开(公告)号：CN111326443A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201910774444.3

申请日：2019-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  金延泰 ,  朴基寿 ,  朴判贵 ,  李真雅 ,  李昌润 ,  林圣根 ,  崔敏浩 ,  崔殷硕

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 用于制造半导体器件的设备包括：处理室，其包括等离子处理空间；和衬底支撑件，其布置在处理室中并且构造为支撑衬底，其中衬底支撑件包括：基座，其包括多个升降销孔，每个升降销孔构造为容纳升降销；和密封带，其具有环形形状并从基座突出，密封带的内径小于多个升降销孔的节圆直径。

公开(公告)号：CN117410315A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310314967.6

申请日：2023-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边晓训 ,  林圣根 ,  曺裕英 ,  赵真英

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，沟道图案包括多个竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上，栅电极包括置于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一部分，第一半导体图案和第二半导体图案是半导体图案中的两个相邻半导体图案；以及栅极绝缘层，置于栅电极的第一部分与第一半导体图案和第二半导体图案之间。第二半导体图案位于比第一半导体图案高的层处。第一半导体图案包括具有第一深度的第一沟道凹部，并且第二半导体图案包括具有小于第一深度的第二深度的第二沟道凹部。

公开(公告)号：CN112242404A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010359712.8

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴承河 ,  姜泌圭 ,  金国桓 ,  金元洪 ,  佐佐木雄一朗 ,  李相遇 ,  林圣根 ,  河龙湖 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L25/18

Abstract: 一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。至少一个下晶体管连接到相应的下导电线路。每一个上晶体管包括：设置在上衬底上的上栅电极；在上栅电极的第一侧设置在上衬底中的第一上源/漏极图案；以及在上栅电极的相对的第二侧设置在上衬底中的第二上源/漏极图案。上栅电极包括硅锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN100565885C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200580047811.6

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 金太焕 ,  金暎镐 ,  金宰浩 ,  郑载勋 ,  尹荣培 ,  林圣根

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0016 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1-xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。

公开(公告)号：CN101133494A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200580047811.6

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 金太焕 ,  金暎镐 ,  金宰浩 ,  郑载勋 ,  尹荣培 ,  林圣根

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0016 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1－xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。